[实用新型]半导体晶圆封装膜

说明书

本实用新型公开了半导体晶圆封装膜为多层结构，依次包括离型层、高分子复合物层、抗静电UV粘合层、TPU胶层；高分子复合物层预切有与晶圆匹配的切割道；高分子复合物层形成于离型层之可剥离面上且完全或部分嵌入抗静电UV粘合层内，且高分子复合物层不接触TPU胶层。本实用新型封装膜集成了封装胶带和切割胶带的功能，通过将TPU胶层和抗静电UV粘合层结合，可避免切割时芯片易崩角和飞片的问题。并且TPU的高透光性有利于抗静电UV粘合层的固化，固化后的抗静电UV粘合层可轻松的从高分子复合物层上剥离，极大简化了半导体晶圆的封装和切割工序，显著提高了作业效率。

技术领域

本实用新型属于半导体晶圆的封装、切割工艺领域，尤其涉及半导体晶圆封装膜、其制备方法以及使用其制备半导体芯片的方法。

背景技术

半导体芯片是通过对半导体晶圆切割得到，为保护电子组件，切割前需对半导体晶圆进行封装。同时，还需要使用切割胶带粘住晶圆，以避免切割过程中晶圆和芯片发生位移、脱落或飞散。目前惯用的晶圆封装和切割工艺较为繁琐，惯用工艺为：对晶圆的电路形成面进行封装，将切割胶带粘贴至晶圆背面；随后，从晶圆的电路形成面将晶圆切割分成为单个芯片。除了工艺繁琐，目前常用的切割胶带还普遍存在透光性差且容易导致芯片崩角和飞片的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种同时具有封装和切割胶带功能的半导体晶圆封装膜，该半导体晶圆封装膜可以简化晶圆的封装和切割工艺，且可避免切割过程中的芯片崩角和飞片。

本实用新型提供的半导体晶圆封装膜为多层结构，依次包括离型层(100)、高分子复合物层(200)、抗静电UV粘合层(300)、TPU胶层(400)；高分子复合物层(200)预切有与晶圆匹配的切割道(500)；高分子复合物层(200)形成于离型层(100)之可剥离面上且完全或部分嵌入抗静电UV粘合层(300)内，且高分子复合物层(200)不接触TPU 胶层(400)。

进一步的，高分子复合物层(200)的预切为过切，即部分切入离型层(100)内。

进一步的，高分子复合物层(200)为环氧硅聚合物层。

进一步的。TPU胶层(400)为热塑性聚氨酯弹性体橡胶层。

本实用新型中，TPU胶层(400)热塑性聚氨酯弹性体橡胶层，起到切割胶带的作用；抗静电UV粘合层(300)采用抗静电UV，用来粘合高分子复合物层(200)和TPU胶层(400)，高分子复合层(200)作为封装材料，用来附着于半导体晶圆上，对晶圆进行封装；离型层(100)用来对高分子复合层(200)进行保护。

使用时，首先除去离型层(100)，将高分子复合物层(200)粘附到晶圆背面。从晶圆正面进行切割；切割完成后，对该封装膜照紫外光，以对抗静电UV粘合层(300)进行固化；固化之后，即可容易分离出TPU胶层(400)和抗静电UV粘合层(300)，拾取仅附着有高分子复合层(200)的芯片，即封装的半导体芯片。需要说明的是，上述所提及“正面”，指晶圆的电路形成面；而所提及“背面”，指晶圆的电路形成面之反面。

和已有的半导体晶圆封装膜相比，本实用新型半导体晶圆封装膜具有如下优点和有益效果：

本实用新型封装膜集成了封装胶带和切割胶带的功能，利用TPU胶层的高透光性、优耐热性以及具消震缓冲特性，利用抗静电UV粘合层的抗静电性、优粘结性以及紫外固化特性，通过将TPU胶层和抗静电UV粘合层结合，可避免切割时芯片易崩角和飞片的问题。并且TPU的高透光性有利于抗静电UV粘合层的固化，固化后的抗静电UV粘合层可轻松的从高分子复合物层上剥离，极大简化了半导体晶圆的封装和切割工序，显著提高了作业效率。

附图说明

图1为本实用新型半导体晶圆封装膜结构之一的示意图；

图2～5为本实用新型半导体晶圆封装膜的制备工艺示意图。