[实用新型]一种LED芯片结构

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构，本实用新型的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本实用新型提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种LED芯片结构。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)以其体积小、功率低、使用寿命长、高亮度以及主动发光等优点，而被广泛应用于照明及显示等技术领域。微型LED，又称微LED、mLED或μLED，是一种新型的平面显示技术，微型LED显示器具备单独像素元件的LED阵列，与目前广泛应用的液晶显示器相比，微型LED显示器具备更好的对比度，更快的响应速度，以及更低的能耗。

由于微型LED是以芯片的形式单独被制造出来，因此，在制作显示器件的过程中，需要将巨量的微型LED芯片转移到基板上。目前，微型LED芯片的巨量转移方式主要包括单颗取放转移、流体组装、液体表面自组装、静电自组装、激光转印以及滚轮转印等，鉴于微型LED芯片的尺寸比较小，组装过程中实现转移已经不易，再考虑到微型LED芯片电极对位的问题，大大增加了巨量转移的难度。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种LED芯片结构，本实用新型提供的LED芯片结构，设计合理，方便转移。

本实用新型采用的技术方案是：一种LED芯片结构，包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接。

对上述技术方案的进一步改进为，发光单元包括依次设置的LED外延层、键合层和缓冲层，LED外延层与金属层连接。

对上述技术方案的进一步改进为，衬底由可刻蚀材料制成。

对上述技术方案的进一步改进为，衬底由硅制成。

对上述技术方案的进一步改进为，键合层由NiAu制成，键合层最外层设有Au层。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本实用新型提供的LED芯片结构，设计合理，欧姆接触层包设于外侧，在巨量转移过程中无需识别LED芯片的电极，可减小对位难度，方便转移。

附图说明

图1为本实用新型的LED芯片结构示意图；

图2为本实用新型的外延结构示意图；

图3为本实用新型的外延材料的结构示意图；

图4为本实用新型的键合材料的结构示意图；

图5为图4移除蓝宝石衬底后的结构示意图；

图6为图5植入模板后的结构示意图；

图7为图6移除目标衬底后的结构示意图；

图8为图7转移至目标基板后的结构示意图；

图9为图8移除模板后的结构示意图；

图10为图9移除蜡层后的结构示意图；