[实用新型]一种硅片传输机构有效
申请号: | 201921555855.5 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN210640205U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 张学强;戴军;张建伟;罗银兵;李圣鹤 | 申请(专利权)人: | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 查杰 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 传输 机构 | ||
本申请提供了一种硅片传输机构,所述的硅片传输机构包括一底座、分别安装在所述的底座的前后两端的第一安装座和第二安装座、传输电机、用于安装传输电机的电机安装座,所述的电机安装座固定安装在所述的底座上,所述的第一安装座和第二安装座安装有多个带轮,带轮上饶有用于传输硅片的传送带,多个带轮中的其中一个带轮被所述的传输电机驱动。本申请的一种硅片传输机构,通过传输电机驱动带轮的转动,从而带动传送带的运行,传送带向前运输硅片,本申请的传送带的绕行设计,能够适应移动座的前后移动,传送带始终处于张紧状态。使硅片的传输更加快捷方便。
技术领域
本申请涉及一种硅片传输机构。
背景技术
硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。
发明内容
本申请要解决的技术问题是提供一种硅片传输机构。
为了解决上述技术问题,本申请提供了一种硅片传输机构,所述的硅片传输机构包括一底座、分别安装在所述的底座的前后两端的第一安装座和第二安装座、传输电机、用于安装传输电机的电机安装座,所述的电机安装座固定安装在所述的底座上,所述的第一安装座和第二安装座安装有多个带轮,带轮上饶有用于传输硅片的传送带,多个带轮中的其中一个带轮被所述的传输电机驱动。
优选地,底座上还安装有一沿前后方向设置的滑轨、能够在所述的滑轨上移动的移动座、用于驱动所述的移动座沿滑轨移动的驱动气缸,所述的驱动气缸固定安装在所述的底座上,所述的移动座位于第一安装座与第二安装座之间。
优选地,所述的移动座上安装有一伸出板,所述的伸出板的后端固定在移动座上,所述的伸出板的前端相对所述的移动座向前伸出,并插入至花篮中。
优选地,所述的第二安装座上安装有被所述的传输电机驱动的第一带轮、第二带轮、第三带轮,所述的伸出板的前端安装有第四带轮,所述的移动座上安装有第五带轮,所述的第一安装座上安装有第六带轮,所述的第二安装座上还安装有第七带轮,所述的传送带依次绕过第一带轮、第二带轮、第三带轮、第四带轮、第五带轮、第六带轮和第七带轮。
优选地,硅片传输机构还包括两个分别安装在传动带两侧的硅片置中机构。
优选地,所述的硅片置中机构包括固定在底座上的固定座、安装在所述的固定座上的置中气缸、被所述的置中气缸驱动的置中移动块,所述的置中移动块上固定有一置中片,所述的置中片的上端部安装有一置中轮安装座,所述的置中轮安装座上安装有两个置中轮,置中轮的轮轴方向为上下方向,置中轮的轮面用于接触传送带上的硅片。
优选地,所述的硅片传输机构还包括安装在所述的底座上的第一硅片感应器,所述的第一硅片感应器用于检测传送带上的硅片是否有重叠,当传送带上的硅片发生重叠时,第一硅片感应器发出信号。
优选地,所述的移动座上还设置有第二硅片感应器,所述的第二硅片感应器用于检测传送带上的硅片的有无。
本申请的一种硅片传输机构,通过传输电机驱动带轮的转动,从而带动传送带的运行,传送带向前运输硅片,本申请的传送带的绕行设计,能够适应移动座的前后移动,传送带始终处于张紧状态。使硅片的传输更加快捷方便。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造