[实用新型]一种高效晶硅异质结太阳能电池硅片清洗装置有效
申请号: | 201921538020.9 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN210575853U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 凌俊;易治凯;郭小勇;王永谦 | 申请(专利权)人: | 江苏爱康能源研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人: | 隋玲玲 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 晶硅异质结 太阳能电池 硅片 清洗 装置 | ||
本实用新型涉及一种高效晶硅异质结太阳能电池硅片清洗装置,包括溢流槽、上下设置的上槽和下槽,所述上槽的下部设有进液管和进气管,顶部设有纯水喷淋,纯水进入溢流管路和喷淋管路,氮气进入氮气管路,所述氮气管路与进气管连接,所述溢流管路与进液管连接,所述喷淋管路与纯水喷淋连接,所述下槽内设有快排气缸,所述快排气缸的活塞杆连接快排盖,所述上槽对应快排盖设有快排口。本实用新型水洗分为纯水溢流和喷淋两步,使硅片最后接触的水是干净的新纯水,解决HJT电池中硅片表面清洗不干净的问题,提高HJT太阳能电池的光电转换效率,同时稳定的工艺更适合运用于量产。
技术领域
本实用新型涉及光伏行业高效电池制造技术领域,具体涉及一种高效晶硅异质结太阳能电池硅片清洗装置。
背景技术
“光伏领跑者计划”是国家能源局拟从2015年开始,之后每年都实行的光伏扶持专项计划,意在促进光伏发电技术进步、产业升级、市场应用和成本下降为目的,通过市场支持和试验示范,以点带面,加速技术成果向市场应用转化,以及落后技术、产能淘汰,实现2020年光伏发电用电侧平价上网目标。在“领跑者”计划中所采用技术和使用的组件都是行业技术绝对领先的技术和产品,高效PERC、黑硅、N型双面、硅异质结(HJT)等高效电池的开发越来越受重视。其中硅基异质结(HJT)太阳电池的高转化效率、高开路电压、低温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低制程工艺温度等优势成为了最热门研究方向之一。
HJT太阳电池制备过程中,制绒清洗是第一道工序,为PECVD制备良好的非晶硅层提供洁净的晶硅表面,所以制绒清洗对于HJT电池的转换效率有巨大的影响,其中水洗方式对于电池的效率的高低和稳定性至关重要。
对于HJT太阳能电池,目前制绒清洗流程如下:进料→预清洗→粗抛→水洗→制绒→水洗→碱洗→水洗→修正→水洗→酸洗→水洗→酸洗→水洗→烘干→出料,每步功能槽后都会有一个水洗槽,其功能是对功能槽内残留在硅片表面的化学品及污染物清洗干净,水洗槽工艺步骤是槽能注满水,然后装有硅片的花篮放入槽内,紧接着开启鼓泡和进纯水阀门,进行鼓泡和纯水溢流的动作,清洗1-2分钟后鼓泡和纯水溢流停止,花篮提出进入下一个槽。
该方法虽然有新鲜的纯水进入,在1-2分钟时间内是无法完全替换掉槽内清洗过的水,槽内的水始终会有化学品及污染物,所以硅片提出水洗槽时硅片表面还是会有化学品和污染物残留,随着清洗批次的增加,槽内的化学品和污染浓度增加,不利于硅片的洁净度,如果延长清洗时间,又会增加纯水的用量,增加了制造成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供了一种高效晶硅异质结太阳能电池硅片清洗装置,水洗分为纯水溢流和喷淋两步,使硅片最后接触的水是干净的新纯水。在不增加用水量和清洗时间,不增加制造成本的前提下清洗后的硅片表面更加洁净,解决HJT电池中硅片表面清洗不干净的问题,提高HJT太阳能电池的光电转换效率,同时稳定的工艺更适合运用于量产。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种高效晶硅异质结太阳能电池硅片清洗装置,包括溢流槽、上下设置的上槽和下槽,所述上槽的下部设有进液管和进气管,顶部设有纯水喷淋,纯水进入溢流管路和喷淋管路,氮气进入氮气管路,所述氮气管路与进气管连接,所述溢流管路与进液管连接,所述喷淋管路与纯水喷淋连接,所述下槽内设有快排气缸,所述快排气缸的活塞杆连接快排盖,所述上槽对应快排盖设有快排口。
优选的,所述下槽设有出液口,所述出液口通过水泵与溢流管路连接。
优选的,所述进液管和进气管上均匀分布有小孔。
优选的,所述进液管和进气管平行设置且位于同一高度。
优选的,所述进液管设有多个,所述进气管设有多个。
优选的,所述上槽内设有匀流板,所述匀流板对应设置在进液管、进气管的上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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