[实用新型]一种深紫外LED封装支架

说明书

一种深紫外LED封装支架，属于深紫外LED技术领域，解决现有深紫外LED电光转化效率低、芯片性能易受热量积聚影响、光功率低等技术问题。本实用新型采用的技术方案为：一种深紫外LED封装支架，包括底座、围坝和设在底座和围坝之间的粘结剂，其中：所述底座顶面中部设有凸台；所述围坝中部为中空结构，所述中空结构下部设有与凸台相配合的过孔，所述中空结构上部四周均为斜面；所述围坝设在底座上方，所述凸台顶部设在围坝的过孔中。本实用新型具有电光转化效率高、导热性能好、结构稳定等优点。

技术领域

本实用新型属于深紫外LED技术领域，具体涉及一种深紫外LED封装支架。

背景技术

深紫外LED的应用非常广泛，如杀菌、消毒、水净化、医疗等。高功率的深紫外LED灯珠能达到更好的使用要求。但是深紫外LED电光转换效率很低，热量积聚影响芯片的性能，而且深紫外LED发出的紫外光很容易被吸收或阻挡,对光功率影响很大，所以需要高导热性能且有很好反射功能的支架。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种深紫外LED封装支架，解决现有深紫外LED电光转化效率低、芯片性能易受热量积聚影响、光功率低等技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种深紫外LED封装支架，包括底座、围坝和设在底座和围坝之间的粘结剂，其中：

所述底座顶面中部设有凸台，所述底座顶面、凸台的四周设有粘结台面；

所述围坝中部为中空结构，所述中空结构下部设有与凸台相配合的过孔，所述中空结构上部四周均为斜面，所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸；

所述围坝设在底座上方，所述凸台顶部设在围坝的过孔中，所述粘结剂设在围坝底面与底座粘结台面之间；所述围坝外边缘与底座外边缘平齐；

所述围坝与粘结剂结合的界面低于凸台顶面。

进一步，所述围坝的制作材料为聚四氟乙烯；底座制作材料为氮化铝陶瓷。

进一步，所述凸台根据深紫外LED芯片尺寸大小做成圆形或方形。

本实用新型中围坝与粘结剂结合的界面低于凸台顶面，使得深紫外线照射不到粘结剂上，粘结剂不会因紫外线作用发生黄化和开裂，可以保证围坝和底座的结合强度；围坝采用新型聚四氟乙烯材料，对深紫外光有很好的反射效果，而且不吸收紫外线，很大程度上保证深紫外芯片的出光；深紫外芯片侧面发出的光全部被斜面反射，达到更高的出光效果；底座采用氮化铝陶瓷制成，具有高导热特性。与现有技术相比，本实用新型具有电光转化效率高、导热性能好、结构稳定等优点。

附图说明

图1是本实用新型的俯视图；

图2是本实用新型的剖面结构示意图；

图3是本实用新型的分解状态示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1至图3所示，本实施例中一种深紫外LED封装支架，包括底座1、围坝2和设在底座1和围坝2之间的粘结剂3，其中：

所述底座1顶面中部设有凸台1-1，所述底座1顶面、凸台1-1的四周设有粘结台面1-2；

所述围坝2中部为中空结构，所述中空结构下部设有与凸台1-1相配合的过孔2-1，所述中空结构上部四周均为斜面2-2，所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸；

所述围坝2设在底座1上方，所述凸台1-1顶部设在围坝2的过孔2-1中，所述粘结剂3设在围坝2底面与底座1粘结台面1-2之间，所述围坝2外边缘与底座1外边缘平齐；