[实用新型]电池硅片清洗设备

说明书

本实用新型提供了一种电池硅片清洗设备，其包括用以实现电池硅片表面制绒的制绒碱洗槽以及与制绒碱洗槽并联设置第一转换槽，第一转换槽具有对电池硅片表面进行制绒的制绒状态以及对在电池硅片背面沉积多晶硅薄层时绕镀至其正面的多晶硅进行去除的第一去绕镀状态；电池硅片清洗设备还具有第二转换槽，第二转换槽具有串接于第一转换槽后侧以与第一转换槽配合去除绕镀至电池硅片正面多晶硅的辅助去绕镀状态以及在第一转换槽未对绕镀至电池硅片正面的多晶硅进行去除时首次实现多晶硅去除的第二去绕镀状态；本实用新型电池硅片清洗设备能同时满足电池硅片的制绒工艺及去绕镀工艺，相对传统设备具有更高的集成度，能够降低设备制作成本。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制作领域，尤其涉及一种电池硅片清洗设备。

背景技术

晶硅电池片是目前利用清洁能源太阳能发电的主流产品，其发电量与晶硅电池片的光电转化效率直接相关，而降低晶硅电池片表面入射光的反射率(即增加晶硅电池片的陷光性)是晶硅电池片提高光电转化效率至关重要的一步，目前业内通常采用碱制绒工艺处理电池硅片以获取金字塔形态绒面的方式来增加晶硅电池片的陷光性。

对于钝化接触晶硅电池(简称passcon电池)来说，采用双面制绒的方式可以得到双面率较高的passcon电池。在制作passcon电池时，背面绒面的制作工艺不同于扩散前正面绒面的制作工艺，以n型电池硅片为例，背面绒面的制作需要考虑扩散时所形成BSG及背结的去除，如此使得用于电池硅片正面绒面制作的制绒设备不能直接用于电池硅片背面绒面的制作。此外，Passcon电池的关键技术在于背面沉积一层SiOx/多晶硅薄层，而背面沉积的多晶硅薄层在管式设备中必然绕镀到正面，其会影响PN结，故必须去除绕镀到电池硅片正面的多晶硅(即去绕镀)，目前业内去除正面多晶硅都是采用专门的设备来实现。

即现有技术中，用于电池硅片的正面制绒、背面制绒、去绕镀三种不同工艺的设备均为独立分散的设备，如此使得设备购置成本及占地面积无法降低。

有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述发明目的，本发明提供了一种电池硅片清洗设备，其具体设计方式如下。

一种电池硅片清洗设备，其包括用以实现所述电池硅片表面制绒的制绒碱洗槽以及与所述制绒碱洗槽并联设置第一转换槽，所述第一转换槽具有可相互切换的制绒状态以及第一去绕镀状态；所述电池硅片清洗设备还具有第二转换槽，所述第二转换槽具有串接于所述第一转换槽后侧以与所述第一转换槽配合去除绕镀至所述电池硅片正面多晶硅的辅助去绕镀状态以及在所述第一转换槽未对绕镀至所述电池硅片正面的多晶硅进行去除时首次实现所述多晶硅去除的第二去绕镀状态。

进一步，所述清洗设备还具有第一水洗槽以及连接于所述第一水洗槽后端的第一酸洗槽，所述制绒碱洗槽与所述第一转换槽并联设置于所述第一水洗槽前端；所述第二转换槽连接于所述第一水洗槽后端且通过一个第二水洗槽连接至所述第一酸洗槽的前端。

进一步，所述清洗设备还具有对所述电池硅片表面进行粗抛的粗抛槽、连接于所述粗抛槽后端对粗抛后所述电池硅片进行预清洗的预清洗槽以及连接于所述预清洗槽后端的第三水洗槽；所述制绒碱洗槽包括至少一个用于所述电池硅片正面制绒的第一碱洗槽，所述第一碱洗槽连接于所述第三水洗槽后端。

进一步，所述第一转换槽连接于所述第三水洗槽后端。

进一步，所述制绒碱洗槽还包括至少一个用于所述电池硅片背面制绒的第二碱洗槽。

进一步，所述清洗设备还具有连接于所述第一酸洗槽后端的第四水洗槽以及并联设置于所述第四水洗槽后端的第一臭氧水洗槽、第二臭氧水洗槽。

进一步，所述清洗设备还具有用于向所述第一臭氧水洗槽、第二臭氧水洗槽提供臭氧的臭氧供给装置。