[实用新型]电池硅片清洗设备有效
申请号: | 201921526565.8 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN210443532U | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 陈海燕 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 硅片 清洗 设备 | ||
1.一种电池硅片清洗设备,其特征在于,包括用以实现所述电池硅片表面制绒的制绒碱洗槽以及与所述制绒碱洗槽并联设置第一转换槽,所述第一转换槽具有可相互切换的制绒状态以及第一去绕镀状态;所述电池硅片清洗设备还具有第二转换槽,所述第二转换槽具有串接于所述第一转换槽后侧以与所述第一转换槽配合去除绕镀至所述电池硅片正面多晶硅的辅助去绕镀状态以及在所述第一转换槽未对绕镀至所述电池硅片正面的多晶硅进行去除时首次实现所述多晶硅去除的第二去绕镀状态。
2.根据权利要求1所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还具有第一水洗槽以及连接于所述第一水洗槽后端的第一酸洗槽,所述制绒碱洗槽与所述第一转换槽并联设置于所述第一水洗槽前端;所述第二转换槽连接于所述第一水洗槽后端且通过一个第二水洗槽连接至所述第一酸洗槽的前端。
3.根据权利要求1所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还具有对所述电池硅片表面进行粗抛的粗抛槽、连接于所述粗抛槽后端对粗抛后所述电池硅片进行预清洗的预清洗槽以及连接于所述预清洗槽后端的第三水洗槽;所述制绒碱洗槽包括至少一个用于所述电池硅片正面制绒的第一碱洗槽,所述第一碱洗槽连接于所述第三水洗槽后端。
4.根据权利要求3所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述第一转换槽连接于所述第三水洗槽后端。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述制绒碱洗槽还包括至少一个用于所述电池硅片背面制绒的第二碱洗槽。
6.根据权利要求2所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还具有连接于所述第一酸洗槽后端的第四水洗槽以及并联设置于所述第四水洗槽后端的第一臭氧水洗槽、第二臭氧水洗槽。
7.根据权利要求6所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还具有用于向所述第一臭氧水洗槽、第二臭氧水洗槽提供臭氧的臭氧供给装置。
8.根据权利要求6或7所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还具有依次连接于所述第一臭氧水洗槽后端的第五水洗槽、第二酸洗槽以及依次连接于所述第二臭氧水洗槽后端的第六水洗槽、第三酸洗槽。
9.根据权利要求8所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还具有连接于所述第二酸洗槽与所述第三酸洗槽后端的第七水洗槽。
10.根据权利要求9所述的电池硅片清洗设备,其特征在于,所述清洗设备还具有连接于所述第七水洗槽后端用于所述电池硅片脱水的慢提拉槽以及设置于所述慢提拉槽后端用于所述电池硅片烘干的烘干槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造