[实用新型]一种优化的半桥式超声波功率驱动电路有效

专利信息
申请号: 201921516229.5 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN210201744U 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 王洪军;玄哲镐;李世军;刘兴伟;王海龙 申请(专利权)人: 王洪军
主分类号: H02M9/06 分类号: H02M9/06
代理公司: 延边科友专利商标代理有限公司 22104 代理人: 崔在吉
地址: 133000 吉林省延边朝鲜族自*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 优化 半桥式 超声波 功率 驱动 电路
【说明书】:

本实用新型公开了一种优化的半桥式超声波功率驱动电路,信号接插件上连接有温控器和脉冲变压器,脉冲变压器上设有初级线圈和两个相互反向的次级线圈,信号接插件和初级线圈连接,每个次级线圈上均连接有由栅射极电阻、快速关断IGBT用二极管、栅极电阻、绝缘栅双极型晶体管及超声波动力部分的接插件组成的超声波信号输出线路,所述的栅极电阻设置为3.9Ω~5.6Ω范围内的电阻;栅射极电阻设置为3.0KΩ~5.6KΩ范围内的电阻。本实用新型具有电子元器件数量较少、发热量低、不易造成电路故障的优点。

技术领域

本实用新型属于超声波发生器中的超声波功率驱动电路板,特别是一种能和超声波发生器主电路板、超声波控制电路板配套形成完整超声波电路的一种优化的半桥式超声波功率驱动电路。

背景技术

现有的超声波发生器功率驱动电路板的元器件一般都是数量多而且发热量大,使用时,经常会出现其发热温度超过IGBT(IGBT的英文名是Insulated Gate BipolarTransistor,中文名是绝缘栅双极型晶体管)的临界温度情况,很容易造成IGBT功率驱动回路出现短路,烧毁IGBT和保险丝等元器件现象。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足而提供一种电子元器件数量较少、发热量低、不易造成电路故障的一种优化的半桥式超声波功率驱动电路。

为了实现上述目的,本实用新型采取了如下技术方案:

它包括信号接插件,所述的信号接插件上连接有温控器和脉冲变压器,脉冲变压器上设有初级线圈和两个相互反向的次级线圈,信号接插件和初级线圈连接,每个次级线圈上均连接有由栅射极电阻、快速关断IGBT用二极管、栅极电阻、绝缘栅双极型晶体管及超声波动力部分的接插件组成的超声波信号输出线路。

所述的栅极电阻设置为3.9Ω~5.6Ω范围内的电阻;栅射极电阻设置为3.0KΩ~5.6KΩ范围内的电阻。

所述的信号接插件上设有的一号端子与温控器的接线端以电线连接方式连接,信号接插件上设有的二号端子与温控器的另一个接线端以电线连接方式连接,信号接插件上设有的三号端子与脉冲变压器的初级线圈输入端以电线连接方式连接,信号接插件上设有的四号端子与脉冲变压器的初级线圈另一个输入端以电线连接方式连接。

所述的两个次级线圈上均连接有栅射极电阻、快速关断IGBT用二极管、栅极电阻、绝缘栅双极型晶体管及超声波动力部分的接插件,每个次级线圈上并联栅射极电阻,快速关断IGBT用二极管和栅极电阻并联,其中快速关断IGBT用二极管的负极处连接到脉冲变压器次级线圈的各个上端子处、正极处连接到各个绝缘栅双极型晶体管的栅极,一号接插件和IGBT中的绝缘栅双极型晶体管Q1的集电极连接,二号接插件和IGBT中的绝缘栅双极型晶体管Q1的发射极、IGBT中的绝缘栅双极型晶体管Q2的集电极与脉冲变压器上半部次级线圈的下端子相互连接,三号接插件和IGBT中的绝缘栅双极型晶体管Q2的发射极与脉冲变压器下半部次级线圈的下端子相互连接。所述的超声波动力部分的接插件由第一接插件、第二接插件及第三接插件组成,第一接插件、第二接插件及第三接插件分别连接到超声波主板上的动力电源正极、超声波输出变压器的一个输入端、及动力电源的负极。

本实用新型的有益效果是:

1、由于超声波主电路中把所述的栅极电阻设置为3.9Ω~5.6Ω范围内的电阻,栅射极电阻设置为3.0KΩ~5.6KΩ范围内的电阻,所以本实用新型有效地减少了因开关损耗引起的IGBT发热, 消除了IGBT的弥勒电容而引起的IGBT误导通。

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