[实用新型]一种整组硅片横移装置有效
| 申请号： | 201921511612.1 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN210640203U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张学强;戴军;张建伟;罗银兵;张巍 | 申请（专利权）人： | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李艾 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 装置 | ||
1.一种整组硅片横移装置，其特征在于，包括：
X向驱动机构，包括第一安装架，所述第一安装架上设有X向传送带、X向驱动电机，所述X向驱动电机驱动所述X向传送带沿X向运动，所述第一安装架上还设有容纳槽，所述容纳槽的两边设置有支撑所述X向传送带的支撑轮，所述容纳槽的下方设置有转接轮，所述X向传送带与所述转接轮连接从而避让所述容纳槽；
Y向驱动机构，包括第二安装架，所述第二安装架上设有Y向传送带、Y向驱动电机，所述Y向传送带设于所述容纳槽中；
顶升机构，所述顶升机构与所述第二安装架连接，所述顶升机构可驱动所述第二安装架上升，将所述Y向传送带顶升出所述容纳槽。
2.如权利要求1所述的整组硅片横移装置，其特征在于，两个所述X向传送带组成一个X向传送带组，一个所述X向传送带组内的两个X向传送带相互配合传输一整组硅片。
3.如权利要求2所述的整组硅片横移装置，其特征在于，所述X向传送带组的两侧设置有挡块。
4.如权利要求2所述的整组硅片横移装置，其特征在于，所述第一安装架上设有多个所述X向传送带组。
5.如权利要求1所述的整组硅片横移装置，其特征在于，两个所述Y向传送带组成一个Y向传送带组，一个所述Y向传送带组内的两个Y向传送带相互配合传输一整组硅片。
6.如权利要求5所述的整组硅片横移装置，其特征在于，一个所述Y向传送带组内的两个Y向传送带分别设于两所述容纳槽内，所述第一安装架在两所述容纳槽之间形成凸起部，所述凸起部上的支撑轮支撑所述X向传送带。
7.如权利要求1所述的整组硅片横移装置，其特征在于，所述Y向传送带底部设有支撑板。
8.如权利要求1所述的整组硅片横移装置，其特征在于，所述顶升机构包括顶升气缸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
