[实用新型]一种低电抗偏差的三相电抗器有效

专利信息
申请号: 201921511163.0 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN210606937U 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 朱煜;施洋 申请(专利权)人: 上海克拉电子有限公司
主分类号: H01F27/34 分类号: H01F27/34;H01F27/26;H01F27/28
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 应小波
地址: 201601 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电抗 偏差 三相
【权利要求书】:

1.一种低电抗偏差的三相电抗器,包括上轭部、下轭部和安装在所述上轭部和下轭部之间的A相芯柱(4)、B相芯柱(5)、C相芯柱(6)以及分别绕制在A相芯柱(4)、B相芯柱(5)、C相芯柱(6)上的A相线圈(1)、B相线圈(2)、C相线圈(3),其特征在于,所述的上轭部和下轭部内均设有气隙板(11)。

2.根据权利要求1所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述的上轭部包括分别与A相芯柱(4)、B相芯柱(5)、C相芯柱(6)相连的A相上芯柱块(12)、B相上芯柱块(13)、C相上芯柱块(14)以及安装在A相上芯柱块(12)和C相上芯柱块(14)之间并与B相上芯柱块(13)相连的上铁轭(7);所述的A相上芯柱块(12)、上铁轭(7)和C相上芯柱块(14)通过上夹件(8)固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述气隙板(11)分别设在A相上芯柱块(12)和上铁轭(7)之间以及C相上芯柱块(14)和上铁轭(7)之间,并通过粘着剂粘接。

4.根据权利要求2所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述的A相上芯柱块(12)与C相上芯柱块(14)的高度相等。

5.根据权利要求1所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述的下轭部包括均分别与A相芯柱(4)、B相芯柱(5)、C相芯柱(6)相连的A相下芯柱块(15)、B相下芯柱块(16)、C相下芯柱块(17)以及安装在A相下芯柱块(15)和C相下芯柱块(17)之间并与B相下芯柱块(16)相连的下铁轭(9);所述的A相下芯柱块(15)、下铁轭(9)和C相下芯柱块(17)通过下夹件(10)固定连接。

6.根据权利要求5所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述的气隙板(11)分别设在A相下芯柱块(15)和下铁轭(9)以及C相下芯柱块(17)与下铁轭(9)之间,并通过粘着剂粘接。

7.根据权利要求5所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述的A相下芯柱块(15)与C相下芯柱块(17)的高度相等。

8.根据权利要求1-7中任一所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述的A相上芯柱块(12)和A相下芯柱块(15)与A相芯柱(4)之间均设有气隙板(11),并通过粘着剂粘接;所述的B相上芯柱块(13)和B相下芯柱块(16)与B相芯柱(5)之间均设有气隙板(11),并通过粘着剂粘接;所述的C相上芯柱块(14)和C相下芯柱块(17)之间均设有气隙板(11),并通过粘着剂粘接。

9.根据权利要求1所述的一种低电抗偏差的三相电抗器,其特征在于,所述的A相芯柱(4)、B相芯柱(5)和C相芯柱(6)均为铁芯式结构;所述的A相线圈(1)、B相线圈(2)和C相线圈(3)的匝数和绕制工艺相同。

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