[实用新型]一种倒装结构深紫外发光二极管

权利要求书

1.一种倒装结构深紫外发光二极管，所述紫外发光二极管包括：

衬底层，所述衬底形成在所述倒装结构深紫外发光二极管的顶部；

N型半导体材料层，形成在所述衬底层的下表面；

量子阱层，形成在所述N型半导体材料层的下表面；

P型半导体材料层，形成在所述P型半导体材料层的下表面；

N电极，与所述N型半导体材料层直接通电连接，P电极与所述P型半导体材料层直接通电连接

其特征在于，

所述发光二极管还包括增透层，所述增透层207设置在衬底的上表面之上在，增透层的厚度d＝(2k+1)λ/4，其中k为自然数、λ为光在增透膜中的波长；光在增透膜中的折射率为其中光在衬底中的折射率为n1，在空气中的折射率为n2。

2.根据权利要求1所述的一种倒装结构深紫外发光二极管，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底、Si衬底、SiC衬底、或者是氮化铝衬底。

3.根据权利要求1或2所述的一种倒装结构深紫外发光二极管，增透层包括氟化镁增透膜。