[实用新型]可改善间隙公差累积的多相非耦合电感有效
| 申请号： | 201921493131.2 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN210668070U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 叶秀发;陈品榆;吕航军;杨雅雯;梁泓智;许玉婷;黄世凯 | 申请（专利权）人： | 美磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F37/00 | 分类号： | H01F37/00;H01F27/24;H01F27/30;H01F27/28 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 间隙 公差 累积 多相 耦合 电感 | ||
【权利要求书】：
1.一种可改善间隙公差累积的多相非耦合电感，其特征在于，包含：
一磁芯本体，该磁芯本体上设有至少两个以上容置槽，且容置槽上设有弯折部容置槽；
至少两个以上导体，各该导体设于该磁芯本体的容置槽中，该导体为U字状，且该U字的两端设有垂直弯折部；
至少两个以上磁芯，各该磁芯设于该导体U字中间。
2.如权利要求1所述的可改善间隙公差累积的多相非耦合电感，其特征在于，该弯折部容置槽固设有导体的垂直弯折部。
3.如权利要求1所述的可改善间隙公差累积的多相非耦合电感，其特征在于，该磁芯小于或等于该导体的U字空间。
4.如权利要求1所述的可改善间隙公差累积的多相非耦合电感，其特征在于，该导体小于该磁芯本体的容置槽。
5.如权利要求1所述的可改善间隙公差累积的多相非耦合电感，其特征在于，该磁芯为柱状。
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