[实用新型]一种超结结构的功率器件

权利要求书

1.一种超结结构的功率器件，包括位于半导体基板中心区的元胞区及围设位于所述元胞区外侧的终端保护区，所述元胞区包括多个规则排布在第一导电类型的第一漂移层中的元胞；在所述功率器件的纵向方向，所述半导体基板包括所述第一漂移层、位于所述第一漂移层下方的第一导电类型的第二漂移层、位于所述第二漂移层下方的第一导电类型的第三漂移层、位于所述第一导电类型的第三漂移层下方的第一导电类型的衬底，所述第二漂移层内包括多对第二导电类型的第一半导体柱和第一导电类型的第二半导体柱，多对所述第一半导体柱和所述第二半导体柱在所述第一导电类型的第二漂移层内交错设置，所述第一半导体柱在所述第二漂移层内向靠近所述衬底的方向延伸；其特征在于，在所述功率器件的横向方向，所述第一半导体柱的下方的所述第三漂移层内设置第二导电类型的栅格；

超结结构包括多个所述第一半导体柱、多个所述第二半导体柱、所述第二漂移层、所述第三漂移层和所述栅格。

2.根据权利要求1所述的超结结构的功率器件，其特征在于，所述栅格包括设置在多个所述第一半导体柱下方且与多个所述第一半导体柱一一对应的多个栅条及围绕多个所述栅条的边框。

3.根据权利要求1所述的超结结构的功率器件，其特征在于，多个所述第一半导体柱之间的距离相等，所述终端保护区的多个半导体圈之间的距离相等，多个所述第一半导体柱之间的距离大于所述终端保护区的多个半导体圈之间的距离。