[实用新型]一种ZnO:Li阻变存储器有效
| 申请号： | 201921471973.8 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN210272427U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;李易;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 张玉玲;范国锋 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno li 存储器 | ||
1.一种ZnO:Li阻变存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底(1)和设置在其上的单个或多个阻变单元，其中，
所述阻变单元包括依次设置的底电极(2)、阻变层(3)和顶电极(4)，所述阻变层(3)为Li掺杂ZnO薄膜；
所述衬底(1)为单晶硅衬底，在其上表面设置有第一二氧化硅层(5)，其厚度为300nm～500nm；
所述阻变层(3)的厚度为90nm～180nm；
所述底电极(2)设置在第一二氧化硅层(5)的上表面，包括由下至上设置的黏附层Ti层(21)和Pt层(22)；
所述Ti层(21)的厚度为10nm～60nm；
所述Pt层(22)厚度为50nm～150nm。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层(3)的厚度为120nm～160nm。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极(4)设置在阻变层(3)的上方，所述顶电极为Ag电极，厚度为80nm～150nm。
4.根据权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极(4)为圆形或方形。
5.根据权利要求4所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极(4)为圆形，其直径为20μm～500μm。
6.根据权利要求4所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极(4)为方形，其边长为20μm～500μm。
7.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，在所述第一二氧化硅层(5)的上表面设置有第二二氧化硅层(6)，所述第二二氧化硅层(6)的厚度为250nm～350nm。
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