[实用新型]一种IGBT功率模块封装结构有效
| 申请号: | 201921470396.0 | 申请日: | 2019-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN210156368U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
| 发明(设计)人: | 纪伟;张若鸿;王晓宝;赵善麒 | 申请(专利权)人: | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/498 |
| 代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 李珍 |
| 地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 igbt 功率 模块 封装 结构 | ||
本实用新型涉及电力电子技术领域,尤其是一种IGBT功率模块封装结构,包括铜底板、外壳、主电极和栅极端子,外壳安装在铜底板上,铜底板上设有覆铜陶瓷基板,主电极焊接在覆铜陶瓷基板上,主电极为叠层母排,覆铜陶瓷基板的周边设有绝缘基板图形面,铜底板上设有与绝缘基板图形面连通的小型绝缘基板,栅极端子焊接于小型绝缘基板上,栅极端子的顶部穿出外壳,本实用新型可以解决传统的IGBT封装结构会导致模块内部杂散电感较大的问题。
技术领域
本实用新型涉及电力电子技术领域,具体领域为一种IGBT功率模块封装结构。
背景技术
IGBT功率模块是大功率电力电子系统的重要组成部分,其性能和可靠性影响着电力电子系统的性能和安全运行。在传统的IGBT封装中,其电极端子、覆铜陶瓷基板及栅极端子的设计导致模块内部杂散电感较大,在器件关断时,其内部电感储存的能量会对器件造成过电压过冲,还会与器件的内部电容产生振荡。电极折弯后对DBC基板会造成一定的应力,应力释放较差、且电极的焊点不牢固,会严重影响模块的可靠性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种IGBT功率模块封装结构,以解决传统的IGBT封装结构会导致模块内部杂散电感较大的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种IGBT功率模块封装结构,包括铜底板、外壳、主电极和栅极端子,所述外壳安装在铜底板上,所述铜底板上设有覆铜陶瓷基板,所述主电极焊接在覆铜陶瓷基板上,所述主电极为叠层母排,所述覆铜陶瓷基板的周边设有绝缘基板图形面,所述铜底板上设有与绝缘基板图形面连通的小型绝缘基板,所述栅极端子焊接于所述小型绝缘基板上,所述栅极端子的顶部穿出外壳。
优选的,所述主电极包括连接在一起的电极臂和电极腿,所述电极臂的上半部分伸出外壳并折弯,其中伸出外壳的部分开设有安装孔,所述安装孔为圆形或椭圆形,所述安装孔用于与外壳上对应放置的螺母进行结合,所述电极腿焊接在覆铜陶瓷基板上。
优选的,所述电极臂上开设有两个电极折弯孔,两个电极折弯孔位于安装孔的下方。
优选的,所述电极腿为侧U型电极腿,所述电极臂的底端与侧U型电极腿连接,所述侧U型电极腿的U型开口所在竖直面与电极臂竖直延伸面一致,所述侧U型电极腿的底部与覆铜陶瓷基板焊接。
优选的,所述电极腿为S型电极腿,所述电极臂的底端与S型电极腿的上端连接,所述S型电极腿的底部与覆铜陶瓷基板焊接。
优选的,所述栅极端子采用合金镀层。
优选的,所述铜底板上设有四块覆铜陶瓷基板,四块覆铜陶瓷基板对称式布置在铜底板上。
优选的,所述外壳上设有外壳凸台,所述外壳凸台上设有电极槽,所述主电极从电极槽穿出,所述外壳上设有栅极槽,所述栅极端子从栅极槽穿出,所述栅极槽的四周还设有栅极护板。
优选的,所述外壳的内侧还设有内隔板,所述外壳上还开设有便于灌胶用的通孔。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本申请中,主电极为叠层母排,可实现主电极间距小、正对面积大以及一致性高的特性,有效地减小模块内部的杂散电感,有效地减小模块内储存的能量对器件造成过电压过冲;栅极端子焊接在小型绝缘基板上,通过焊接的方式代替传统的通过绞线引出栅极端子的方式,并且通过绝缘基板图形面实现边缘走线,将大电流主电极与小电流栅极端子分开,避免电气干扰,避免因引线长度不同而导致杂散电感不同的风险,避免非对称的栅极引线电感可能造成IGBT动态均流变差的风险,并减小器件的射频振荡;采用“U”形或“S”形电极腿的设计,增强了电极对机械应力释放的能力,起到缓冲抗震的作用,起到减小电极焊接热应力的效果,提高电极端子使用寿命,并提高电极焊接效率和覆铜陶瓷基板的利用率;采用合金镀层的栅极端子,可有效地提高端子抗氧化能力和焊接性能;采用四阵列、对称式覆铜陶瓷基板设计,可有效减小因热循环而对模块底板造成的应力集中。
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