[实用新型]欧姆接触结构与半导体器件

说明书

本公开提供一种欧姆接触结构与半导体器件。欧姆接触结构包括：第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。本公开实施例提供的欧姆接触结构可以安全地实现ESD功能。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种用于ESD的欧姆接触结构和半导体器件。

背景技术

相关技术中，受限于制程，连接有同一块金属区域的欧姆接触结构通常采用间断设置(如图1所示)。随着器件尺寸的减小，欧姆接触结构的尺寸也相应减小，电阻相应增大，影响了器件的性能。槽型接触结构(Slot Contact)具有更大的接触面积和更小的电阻(如图2所示)，因此得以广泛应用。但是，槽型接触结构在面对静电放电场景(ESD)时会由于长槽接触散热不良而产生热烧毁，因此，需要一种能够更好地应对静电放电场景的欧姆接触结构。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开实施例提供一种欧姆接触结构和可以应用该欧姆接触结构的半导体器件，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的相关接触结构在静电放电场景中发生热烧毁的问题。

根据本公开的第一方面，提供一种欧姆接触结构，包括：第一接触结构，沿栅宽方向设置，位于有源区上表面沿栅宽方向的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一长度为1微米，所述第二长度为1.5～3微米，所述第三长度为2～5微米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向的宽度相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极。

在本公开的一种示例性实施例中，均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于同一金属结构。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极和漏极。

在本公开的一种示例性实施例中，位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈轴对称分布。

在本公开的一种示例性实施例中，位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈非对称分布，且分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第一接触结构在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第二接触结构在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第三接触结构在沟道方向上齐平。

在本公开的一种示例性实施例中，位于晶体管源极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第一宽度，位于晶体管漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。