[实用新型]欧姆接触结构与半导体器件

权利要求书

1.一种欧姆接触结构，其特征在于，包括：

第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；

第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；

第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。

2.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述第一长度为1微米，所述第二长度为1.5～3微米，所述第三长度为2～5微米。

3.如权利要求1所述的欧姆接触结构，其特征在于，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向的宽度相同。

4.如权利要求3所述欧姆接触结构，其特征在于，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极。

5.如权利要求4所述欧姆接触结构，其特征在于，均设置于晶体管的源极或均设置于晶体管的漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于同一金属结构。

6.如权利要求3所述欧姆接触结构，其特征在于，所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均设置于晶体管的源极和漏极。

7.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，分别位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈轴对称分布。

8.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，分别位于晶体管的源极和漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构相对于所述晶体管的栅极呈非对称分布，且分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第一接触结构在沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第二接触结构在所述沟道方向上齐平，分别位于晶体管的源极和漏极的两个所述第三接触结构在所述沟道方向上齐平。

9.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，位于晶体管源极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第一宽度，位于晶体管漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构在沟道方向上具有相同的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

10.如权利要求6所述欧姆接触结构，其特征在于，位于晶体管源极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于第一金属结构，位于晶体管漏极的所述第一接触结构、所述第二接触结构、所述第三接触结构均电连接于第二金属结构。

11.如权利要求10所述欧姆接触结构，其特征在于，在沟道方向上，所述第二金属结构的宽度大于所述第一金属结构的宽度。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

栅极；

源极，位于所述栅极的一侧，具有第一凹槽阵列，所述第一凹槽阵列具有至少三个凹槽，所述凹槽的形状和面积不完全相同；

漏极，位于所述栅极的另一侧，具有第二凹槽阵列，所述第二凹槽阵列具有至少三个凹槽，所述凹槽的形状和面积不完全相同。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一掺杂区，所述第一凹槽阵列位于所述第一掺杂区内；

第二掺杂区，所述第二凹槽阵列位于所述第二掺杂区内，所述第二掺杂区的浓度大于等于所述第一掺杂区的浓度。