[实用新型]喷淋装置、半导体处理设备

说明书

该实用新型涉及一种喷淋装置、半导体处理设备，能够提高晶圆的电性均一性，保证晶圆的电性稳定性。所述喷淋装置包括：至少两套相互独立的管路组件；每套所述管路组件均包含反应物源，流量控制器，喷嘴以及若干管路；在每套所述管路组件中，所述反应物源通过所述管路连通所述流量控制器，所述流量控制器通过所述管路连通至所述喷嘴，且对由所述反应物源中流出并通过所述喷嘴喷出的反应物的流量进行控制；在各套所述管路组件中的所述喷嘴的喷淋方向在同一平面上，并形成至少一个非零的夹角，其中，通过各套所述管路组件中所述喷嘴喷出的所述反应物具有重叠区域。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种喷淋装置、半导体处理设备。

背景技术

现有技术中，在炉管内进行晶圆表面的原子层沉积，形成新的膜层结构时，经常会出现晶圆表面的膜层结构厚度不一的情形，膜层结构的均匀性不好，会造成晶圆的电性不均，稳定性差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种喷淋装置、半导体处理设备，能够提高晶圆的电性均一性，保证晶圆的电性稳定性。

为了解决上述技术问题，以下提供了一种喷淋装置，包括：至少两套相互独立的管路组件；每套所述管路组件均包含反应物源，流量控制器，喷嘴以及若干管路；在每套所述管路组件中，所述反应物源通过所述管路连通所述流量控制器，所述流量控制器通过所述管路连通至所述喷嘴，且对由所述反应物源中流出并通过所述喷嘴喷出的反应物的流量进行控制；在各套所述管路组件中的所述喷嘴的喷淋方向在同一平面上，并形成至少一个非零的夹角，其中，通过各套所述管路组件中所述喷嘴喷出的所述反应物具有重叠区域。

可选的，所述管路组件的数目为两套，且第一套管路组件中的第一喷嘴以及第二套管路组件的第二喷嘴的喷淋方向形成一预设角度，所述预设角度的范围为10°到30°。

可选的，每套所述管路组件还包括若干阀门，位于连通所述反应物源和所述喷嘴之间的所述管路上。

为了解决上述技术问题，以下还提供了一种半导体处理设备，包括所述的喷淋装置，所述喷嘴设置于所述半导体处理设备的反应室内，并朝向所述反应室内的晶圆放置位上放置的晶圆喷淋反应物。

可选的，所述管路组件的数目为两套，且第一套管路组件中的第一喷嘴以及第二套管路组件的第二喷嘴的喷淋方向所在的平面与所述晶圆放置位所在的平面平行，且所述第一喷嘴的喷淋方向朝向所述晶圆放置位的中心位置，所述第二喷嘴的喷淋方向与所述第一喷嘴的喷淋方向形成一预设角度，所述预设角度的范围为10°到30°。

所述喷淋装置、半导体处理设备具有两个相互独立的喷嘴，能够分别调控反应物的流量，能够保持晶圆的边缘和中心区域的反应气体的浓度一直，沉积密度保持一致，改善晶圆中心与边缘区域膜厚均一性，以及产品电性的均一稳定性。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中喷淋装置的连接关系示意图。

图2为本实用新型的一种具体实施方式中半导体处理设备的俯视图。

图3为现有技术中在衬底表面形成的栅极两侧形成氮化硅侧壁绝缘层时晶圆的不同区域对应形成的氮化硅侧壁绝缘层的厚度示意图。

图4为本实用新型的一种具体实施方式中使用喷淋装置、半导体处理设备在衬底表面形成的栅极两侧形成氮化硅侧壁绝缘层时晶圆的不同区域对应形成的氮化硅侧壁绝缘层的厚度示意图。

图5为本实用新型的一种具体实施方式中喷淋反应物的方法流程示意图。

具体实施方式