[实用新型]一种S波段的高增益放大电路

说明书

本实用新型涉及一种S波段的高增益放大电路。本实用新型的主要目的是提出低成本、高增益的S波段的放大电路实现方式，本实用新型的方案主要包括分别由2个功放管构成的2级放大电路，在第二级放大电路中，通过引入NPN三极管与功放管实现推挽，从而提高了电路的功率增益。相比于传统结构，本实用新型的电路结构简单，适用于仅对增益要求较高，且成本较低的应用环境。

技术领域

本实用新型涉及一种S波段的高增益放大电路。

背景技术

随着射频领域的飞速发展，目前对射频模块的要求越来越高，不仅仅要小型化，还要满足信号传输的各种要求，如高线性、高增益等等，甚至要求具有在指定频率范围内的通用性。但是功率放大器作为高技术含量的产品，目前并没有多少公司具备在架构上面对其进行改进的能力，一般的公司也难以做出满足各种高要求的产品。与之对应的，是目前各种高性能产品的高昂价格，但是在实际应用中，并不是所有的产品都需要如此高的性能，通常来说，在适用的前提下更低的成本才是首要目标。对于S波段来说，S波段的频率为2-4GHz，ZIGBEE，无线路由，无线鼠标等也使用这个范围的频率，因此对S波段的放大电路，在不提高成本的前提下实现高增益是值得研究的方向。

实用新型内容

本实用新型所要解决的，就是针对上述问题，提出一种低成本用于S波段的高增益放大电路。

本实用新型采用的技术方案是：一种S波段的高增益放大电路，如图1所示，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第一电感L1、第一功放管、第二功放管、PMOS管和NPN三极管；第一电感L1的一端接输入信号，第一电感L1的另一端通过第一电阻R1后接第一功放管的栅极，第一电阻R1与第一功放管栅极的连接点通过第一电容C1接地；第一功放管的源极通过并联的第二电阻R2和第二电容C2后接地，第一功放管的漏极接PMOS管的漏极，PMOS管的源极接电源，PMOS管的栅极接偏置电压；第一功放管的漏极通过第三电容C3后接第二功放管的栅极，第三电容C3与第二功放管栅极的连接点通过第三电阻R3后接地；第二功放管的源极通过并联的第四电阻R4和第四电容C4后接地，第二功放管的漏极接NPN三极管的发射极，NPN三极管的基极接PMOS管的漏极，NPN三极管的集电极接电源；第二功放管的漏极接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端接第六电容C6的一端，第五电阻R5与第六电容C6的连接点通过第五电容C5后接地；第六电容C6的另一端接第七电阻R7的一端，第六电容C6与第七电阻R7的连接点通过第六电阻R6后接地；第七电阻R7的另一端接第七电容C7的一端，第七电容C7的另一端为信号输出端。

本实用新型的主要目的是低成本，高增益，为了实现这个目的，本实用新型的方案中，主要是在电路中加入了NPN三极管，从而可以将电路的上拉电流提高，从而实现放大电路的高带宽和高功率增益。

上述方案中的偏置电压通常由偏置电路产生，偏置电路通常由MOS管和电流源组成，是一种常用的电路。

进一步的，所述第一功放管和第二功放管为LDMOS。

LDMOS是射频电路中常用的功放器件，随着半导体技术的进步，在S波段的应用范围内，采用LDMOS进行功放能够满足需求。

本实用新型的有益效果是：相比于传统结构，本实用新型的电路结构简单，在低成本的前提下，实现了高增益。

附图说明

图1为本实用新型的电路逻辑结构示意图。

具体实施方式