[实用新型]一种S波段的高增益放大电路有效

专利信息
申请号: 201921441375.6 申请日: 2019-09-02
公开(公告)号: CN210225348U 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 何备;覃超;田文跃;陈佑鑫;陈虹宇;岳博 申请(专利权)人: 成都宏讯微电子科技有限公司
主分类号: H03F3/193 分类号: H03F3/193;H03F3/21
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 李玉兴
地址: 610000 四川省成都市双流*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 波段 增益 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种S波段的高增益放大电路,其特征在于,包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第一电感L1、第一功放管、第二功放管、PMOS管和NPN三极管;第一电感L1的一端接输入信号,第一电感L1的另一端通过第一电阻R1后接第一功放管的栅极,第一电阻R1与第一功放管栅极的连接点通过第一电容C1接地;第一功放管的源极通过并联的第二电阻R2和第二电容C2后接地,第一功放管的漏极接PMOS管的漏极,PMOS管的源极接电源,PMOS管的栅极接偏置电压;第一功放管的漏极通过第三电容C3后接第二功放管的栅极,第三电容C3与第二功放管栅极的连接点通过第三电阻R3后接地;第二功放管的源极通过并联的第四电阻R4和第四电容C4后接地,第二功放管的漏极接NPN三极管的发射极,NPN三极管的基极接PMOS管的漏极,NPN三极管的集电极接电源;第二功放管的漏极接第五电阻R5的一端,第五电阻R5的另一端接第六电容C6的一端,第五电阻R5与第六电容C6的连接点通过第五电容C5后接地;第六电容C6的另一端接第七电阻R7的一端,第六电容C6与第七电阻R7的连接点通过第六电阻R6后接地;第七电阻R7的另一端接第七电容C7的一端,第七电容C7的另一端为信号输出端。

2.根据权利要求1所述的一种S波段的高增益放大电路,其特征在于,所述第一功放管和第二功放管为LDMOS。

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