[实用新型]一种芯片封装件

说明书

本实用新型提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、封装芯片组件的封装层。引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面。封装层上设置有顶针孔。还包括设置在引线框架的第二面的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。绝缘块与顶针位置相对。芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架框架较大压力，引线框架也不会压穿粘接层，防止引线框架与散热片接触，防止导致芯片短路。且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，保证芯片的散热性能。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装件。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)模块是将多个IGBT芯片、及FRD芯片(Freewheeling diode，续流二极管芯片)采用特定的电路桥接及封装的方式制造成的模块化半导体产品。它具有结构紧凑、可靠性高和安装方便等优点，有助于大功率模块应用实现高可靠性的集成化布局。

由于模块将IGBT芯片、FRD芯片和驱动器集成在一个封装内，保证了其整机产品拥有更高的可靠性，并大大降低了装备的体积。但是，为获取更高的电流处理能力而增加芯片的并联数量，器件工作时产生的热损耗将过于集中，这会增加散热难度。因此，必须有适当的措施来抑制模块在工作时的热积累，这种需要催生了功率半导体领域的一门新技术——散热技术。

参考图1，为了使模块内部的芯片1充分散热，在封装过程中，焊接芯片1的引线框架2下面会粘结一个铜绝缘片3。铜绝缘片3由一层环氧树脂4和一层铜散热片5构成。环氧树脂4主要用于隔绝引线框架2与铜散热片5接触,以实现引线框架2与铜散热片5之间的绝缘隔离。并且在一定的压力下，环氧树脂4能够与引线框架2充分接触，会使芯片1的散热性能更好。但当压力过大时，引线框架2会压穿环氧树脂4，从而导致引线框架2与铜散热片5接触，从而导致芯片1短路。在封装的过程中，会在引线框架2的一侧使用顶针6抵压在引线框架2上，以给引线框架2一定的压力，使环氧树脂4能够与引线框架2充分接触。但由于在封装过程中，顶针6施加在引线框架2上的压力及引线框架2嵌入到环氧树脂4的深度不好把控。若顶针6施加在引线框架2上的压力过大，很容易导致引线框架2与铜散热片5之间接触，从而导致芯片1短路；若顶针6施加在引线框架2上的压力较小，引线框架2和环氧树脂4之间不能充分接触，从而导致芯片1的散热性能降低。

实用新型内容

本实用新型提供了一种芯片封装件，以防止引线框架与散热片之间导电连接。

本实用新型提供了一种芯片封装件，该芯片封装件包括引线框架、设置在引线框架上的芯片组件、以及封装芯片组件的封装层。其中，引线框架具有相对的第一面及第二面，芯片组件设置在引线框架的第一面上。在封装层上设置有顶针孔。芯片封装件还包括设置在引线框架的第二面上的散热组件。散热组件包括散热片、粘接散热片与引线框架的第二面的粘接层、以及设置在散热片与第二面之间且用于隔离散热片及第二面的绝缘块。其中，绝缘块与顶针孔位置相对。

在上述的方案中，通过在引线框架的第二面及散热片之间设置用于隔离散热片与第二面的绝缘块，且绝缘块与顶针孔位置相对，这样，芯片封装件的封装过程中，即使顶针通过顶针孔施加给引线框架较大的压力，引线框架也不会压穿粘接层，从而防止引线框架与散热片接触，从而防止导致芯片短路。并且在顶针施加给引线框架较大的压力下,引线框架也能和粘接层充分接触，从而保证芯片的散热性能。

在一个具体的实施方式中，绝缘块镶嵌在散热片及粘接层内，以便于绝缘块的设置。

在一个具体的实施方式中，散热片上朝向粘接层的一面设置有第一凹槽，粘接层上朝向散热片的一面设置有第二凹槽。第一凹槽与第二凹槽位置相对，且绝缘块设置在第一凹槽及第二凹槽内。通过上述的方式，以便于将绝缘块镶嵌在散热片与粘接层之间。