[实用新型]一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅有效
| 申请号： | 201921418257.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN210092089U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 乔明;齐钊;邓琪 | 申请（专利权）人： | 成都矽能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 610093 四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 隔离 维持 电压 可控硅 | ||
1.一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，包括：
P型衬底；
设置在所述P型衬底上表面两侧的N阱区和P阱区；
设置在所述N阱区内表面的阳极；
设置在所述P阱区内表面的阴极；
设置在所述P型衬底上表面且两端分别设置在所述N阱区和P阱区内部的第三N+区；
其特征在于，所述可控硅还包括N型隔离环和/或P型隔离环；
所述N型隔离环包括：
设置在所述N阱区下方的N埋层；
设置在所述N阱区远离所述P阱区的一侧且与所述N阱区和N埋层相接触的第一N型深注入层，所述第一N型深注入层位于所述P型衬底上表面；
设置在所述N阱区靠近所述P阱区的一侧且与所述N阱区和N埋层相接触的第二N型深注入层，所述第二N型深注入层的上表面与所述第三N+区的下表面相接触；
所述P型隔离环包括：
设置在所述P阱区下方的P埋层；
设置在所述P阱区远离所述N阱区的一侧且与所述P阱区和P埋层相接触的第一P型深注入层，所述第一P型深注入层位于所述P型衬底上表面；
设置在所述P阱区靠近所述N阱区的一侧且与所述P阱区和P埋层相接触的第二P型深注入层，所述第二P型深注入层的上表面与所述第三N+区的下表面相接触。
2.根据权利要求1所述的具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，其特征在于，所述N阱区内且位于所述阳极和所述第三N+区之间的区域还包括多个第三N型深注入层，所述第三N型深注入层用于隔开其两侧的N阱区和N埋层。
3.根据权利要求1或2所述的具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，其特征在于，所述P阱区内且位于所述阴极和所述第三N+区之间的区域还包括多个第三P型深注入层，所述第三P型深注入层用于隔开其两侧的P阱区和P埋层。
4.根据权利要求1所述的具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，其特征在于，所述阳极包括设置在所述N阱区上表面且通过金属相连的第一N+区和第一P+区，所述阴极包括设置在所述P阱区上表面且通过金属相连的第二N+区和第二P+区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都矽能科技有限公司，未经成都矽能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921418257.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
