[实用新型]一种干法刻蚀设备

说明书

本实用新型提供了一种干法刻蚀设备，包括：静电吸盘，用于承托并吸附晶圆；以及导电环，设置于与所述静电吸盘的外周并接地；所述导电环设有若干沿高度方向贯通的第一通孔，第一通孔的设置，更利于干法刻蚀设备的反应腔室内气流的下排，进而改善了晶圆边缘部位的刻蚀速率的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更详细地说，本实用新型涉及一种干法刻蚀设备。

背景技术

干法刻蚀设备通常通过静电吸盘实现对晶圆的承托和固定，静电吸盘(Electrostatic Chuck,E-chuck)的原理为通过绝缘层产生的静电力吸附固定晶圆，通过施加于静电吸盘的外部电压在静电吸盘表面产生静电电荷以形成静电力，为了防止静电电荷散失至干法刻蚀设备的反应腔室而影响刻蚀的效果，通常在静电吸盘的外周设有接地的导电环，以将散失的静电电荷导向地端，由于现有的导电环大多是一体成型，且占用了反应腔室较大的空间，这样的结构设计不利于反应腔室内气流的下排，进而影响了晶圆边缘部位的刻蚀速率的均匀性。

因此，有必要对现有干法刻蚀设备加以改进。

实用新型内容

为了解决现有技术中的上述问题，即提供一种改善晶圆边缘部位的刻蚀速率的干法刻蚀设备。

本实用新型所提供的干法刻蚀设备，包括：静电吸盘，用于承托并吸附晶圆；以及导电环，设置于与静电吸盘的外周并接地；导电环设有若干沿高度方向贯通的第一通孔。

第一通孔的设置，更利于反应腔室内等离子体气流的下排，进而改善了晶圆边缘部位的刻蚀速率的均匀性。

在本实用新型的较优技术方案中，第一通孔沿导电环的周向均匀间隔分布。

在本实用新型的较优技术方案中，还包括叠放在导电环上表面的保护环。

在本实用新型的较优技术方案中，保护环上设有与第一通孔位置相对应的第二通孔。

在该技术方案中，由于现有的干法刻蚀设备在刻蚀过程中，反应生成物容易掉落并累积在导电环和保护环上，影响反应腔室的洁净度，严重时会导致晶圆的不良，而本实施例所提供的干法刻蚀设备，由于设置了第一通孔和第二通孔，反应生成物可以直接从第一通孔和第二通孔下排至干法刻蚀设备的底部。

在本实用新型的较优技术方案中，第二通孔的开口面积不小于第一通孔的开口面积。

在本实用新型的较优技术方案中，干法刻蚀设备为等离子体刻蚀设备。

在本实用新型的较优技术方案中，还包括：凹槽，凹槽环设于静电吸盘的外周以供导电环和保护环装配其中。

在本实用新型的较优技术方案中，保护环的上表面不低于静电吸盘的上表面。

在该技术方案中，保护环的上表面不低于静电吸盘的上表面，能够保护静电吸盘的侧边缘免受等离子体的刻蚀。

在本实用新型的较优技术方案中，导电环和静电吸盘间隔设置。

在本实用新型的较优技术方案中，第一通孔形成为多个沿导电环的径向延伸的条形格栅状通孔。

在该技术方案中，能够充分的利用导电环的表面面积以进行开孔，更大限度的提高等离子体气流的下排量且保证了气流的均匀性。

附图说明

图1是本实用新型一个较优技术方案中的干法刻蚀设备的结构示意图；

图2是图1中的干法刻蚀设备中导电环和静电吸盘的俯视结构示意图；

图3是图1中的干法刻蚀设备中保护环和静电吸盘的俯视结构示意图。