[实用新型]一种干法刻蚀设备

权利要求书

1.一种干法刻蚀设备，包括：

静电吸盘，用于承托并吸附晶圆；以及

导电环，设置于与所述静电吸盘的外周并接地；

其特征在于，所述导电环设有若干沿高度方向贯通的第一通孔。

2.如权利要求1所述的干法刻蚀设备，其特征在于，所述第一通孔沿所述导电环的周向均匀间隔分布。

3.如权利要求1或2所述的干法刻蚀设备，其特征在于，还包括叠放在所述导电环上表面的保护环。

4.如权利要求3所述的干法刻蚀设备，其特征在于，所述保护环上设有与所述第一通孔位置相对应的第二通孔。

5.如权利要求4所述的干法刻蚀设备，其特征在于，所述第二通孔的开口面积不小于所述第一通孔的开口面积。

6.如权利要求1所述的干法刻蚀设备，其特征在于，所述干法刻蚀设备为等离子体刻蚀设备。

7.如权利要求3所述的干法刻蚀设备，其特征在于，还包括：凹槽，所述凹槽环设于所述静电吸盘的外周以供所述导电环和所述保护环装配其中。

8.如权利要求3所述的干法刻蚀设备，其特征在于，所述保护环的上表面不低于所述静电吸盘的上表面。

9.如权利要求1所述的干法刻蚀设备，其特征在于，所述导电环和所述静电吸盘间隔设置。

10.如权利要求1所述的干法刻蚀设备，其特征在于，所述第一通孔形成为多个沿所述导电环的径向延伸的条形格栅状通孔。