[实用新型]一种热处理腔室

说明书

本实用新型公开了一种热处理腔室，包括上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；加热部件，设置于上腔室中，用于加热待加工基片；基片支撑部件，设置于下腔室中，用于支撑待加工基片；基片传输口，位于下腔室的侧壁上，用于将基片传入或传出下腔室；反射板，通过升降机构可移动地贴合于下腔室的内壁，随着反射板的上下移动基片传输口被反射板遮挡或完全暴露于下腔室中。本实用新型的有益效果在于：通过在下腔室中设置反射板，使反射板遮挡基片传输口，使下腔室的内部相对于基片是周向对称的结构，为基片的加工提供了一个对称的工艺环境，提升了基片的去气效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，更具体地，涉及一种热处理腔室。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,以下筒称PVD)技术是半导体领域常用的加工技术，可用于加工集成电路中的铜互连层。制作铜互连层主要包括去气、预清洗、沉积等步骤，其中，去气步骤是去除基片等被加工工件上的水蒸气及其它易挥发性杂质。在实施去气步骤时，不仅需要将基片快速加热至350℃左右，而且还要保证基片受热均匀，否则会导致在基片的部分区域产生的易挥发杂质去除不干净，从而给后续工艺带来不良影响，而且，严重的基片温度不均甚至还会造成基片碎裂。

因此，期望一种热处理腔室，可以实现对基片的均匀加热。

实用新型内容

本实用新型的目的是提出一种热处理腔室，可以满足热处理对象的均温需求。

为实现上述目的，本实用新型提出了一种热处理腔室，包括：

上腔室和下腔室，以及设置在上腔室和下腔室之间的导热板；

加热部件，设置于所述上腔室中，用于加热待加工基片；

基片支撑部件，设置于所述下腔室中，用于支撑待加工基片；

基片传输口，位于所述下腔室的侧壁上，用于将基片传入或传出所述下腔室；

反射板，通过升降机构可移动地贴合于所述下腔室的内壁，随着所述反射板的上下移动所述基片传输口被所述反射板遮挡或完全暴露于所述下腔室中。

作为可选方案，所述反射板贴合于所述下腔室的两个相对的侧壁，其中一个所述侧壁上设有所述基片传输口，或所述反射板环绕贴合于所述下腔室的内壁。

作为可选方案，所述反射板的高度大于所述基片传输口的高度，并所述反射板的高度小于所述基片传输口的下边缘与所述下腔室底面之间的距离或小于所述基片传输口的上边缘与所述导热板之间的距离。

作为可选方案，所述反射板的背面设有多个第一T形凸起，相邻的第一T形凸起之间形成第一T形凹槽；所述下腔室内壁包括多个第二T形凸起，相邻的第二T形凸起之间形成第二T形凹槽，所述第一T形凸起与所述第二T形凹槽相配合，所述第二T形凸起与所述第一T形凹槽相配合，以实现所述反射板与所述下腔室内壁之间的连接。

作为可选方案，所述升降机构包括电机和由电机驱动的丝杠传动机构，所述丝杆传送机构包括传动组件和与所述传送组件连接的连杆。

作为可选方案，所述下腔室底部设有通孔，所述连杆的顶端与所述反射板的底部连接，所述连杆的底端穿过所述通孔，延伸至所述下腔室的外部，与所述传动组件连接。

作为可选方案，还包括波纹管，套设于所述连杆下部的外周，所述波纹管的上端与所述下腔室的底壁密封连接，所述波纹管的底端与所述连杆的底部密封连接。

作为可选方案，所述加热部件为多个平行设置的圆柱形加热灯管，且相邻的所述加热灯管之间的距离从中间向两端逐渐减小。

作为可选方案，所述加热部件为多个具有同圆心不同半径的环形加热灯管。