[实用新型]一种热处理腔室有效
| 申请号: | 201921343299.5 | 申请日: | 2019-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN210575852U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
| 发明(设计)人: | 艾宴清 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
| 地址: | 518172 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 热处理 | ||
1.一种热处理腔室,包括,上腔室和下腔室,以及设置在上腔室与下腔室之间的导热板,其特征在于,还包括:
加热部件,设置于所述上腔室中,用于加热待加工基片;
基片支撑部件,设置于所述下腔室中,用于支撑待加工基片;
基片传输口,贯穿于所述下腔室的侧壁,用于将基片传入或传出所述下腔室;
反射板,通过升降机构可移动地对称贴合于所述下腔室的内壁,并至少覆盖所述基片传输口,随着所述反射板的上下移动所述基片传输口被所述反射板完全遮挡或完全暴露于所述下腔室中。
2.根据权利要求1所述的热处理腔室,其特征在于,所述反射板贴合于所述下腔室的两个相对的侧壁,其中一个所述侧壁上设有所述基片传输口,或所述反射板环绕贴合于所述下腔室的内壁。
3.根据权利要求1所述的热处理腔室,其特征在于,所述反射板的高度小于所述基片传输口的下边缘与所述下腔室底面之间的距离或小于所述基片传输口的上边缘与所述导热板之间的距离。
4.根据权利要求1所述的热处理腔室,其特征在于,所述反射板的背面设有多个第一T形凸起,相邻的所述第一T形凸起之间形成第一T形凹槽;所述下腔室内壁包括多个第二T形凸起,相邻的所述第二T形凸起之间形成第二T形凹槽,所述第一T形凸起与所述第二T形凹槽相配合,所述第二T形凸起与所述第一T形凹槽相配合,以实现所述反射板贴合于所述下腔室的内壁上。
5.根据权利要求1所述的热处理腔室,其特征在于,所述升降机构包括电机、传动部件和连杆,所述电机与所述传动部件的底端连接,所述传动部件的顶端与所述连杆的底部连接,所述连杆的顶部与所述反射板的底部连接。
6.根据权利要求5所述的热处理腔室,其特征在于,所述下腔室的底壁设有通孔,所述传动部件贯穿所述通孔,上端与位于所述下腔室内部的连杆连接,下端与位于下腔室外部的电机连接。
7.根据权利要求6所述的热处理腔室,其特征在于,还包括波纹管,套设于所述传动部件的外周,所述波纹管的顶端与所述下腔室的底壁密封连接,所述波纹管的底端与所述传动部件的底部密封连接。
8.根据权利要求1所述的热处理腔室,其特征在于,所述加热部件为多个平行设置的圆柱形加热灯管,且相邻的所述加热灯管之间的距离从中间向两端逐渐减小。
9.根据权利要求1所述的热处理腔室,其特征在于,所述加热部件为多个依次套设的具有同圆心不同半径的环形加热灯管。
10.根据权利要求1所述的热处理腔室,其特征在于,所述加热部件为功率可调的热辐射灯管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





