[实用新型]一种采用绝缘封装的可控硅有效

专利信息
申请号: 201921324748.1 申请日: 2019-08-15
公开(公告)号: CN210200717U 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 陈骆峥晗;徐洪祥 申请(专利权)人: 绍兴怡华电子科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367;H01L23/60
代理公司: 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 代理人: 韩云涵
地址: 312000 浙江省绍兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 绝缘 封装 可控硅
【权利要求书】:

1.一种采用绝缘封装的可控硅,包括塑封体(1)、引线框架散热片(2)、T1极引线框架引脚(3)、T2极引线框架引脚(31)、G极引线框架引脚(32)和芯片(6),其特征在于:所述T2极引线框架引脚(31)置于引线框架散热片(2)上且两者之间通过绝缘陶瓷片(4)连接,所述绝缘陶瓷片(4)与引线框架散热片(2)之间设有锡膏(7),所述绝缘陶瓷片(4)与T2极引线框架引脚(31)之间设有锡膏(7),所述芯片(6)置于T2极引线框架引脚(31)上且两者通过焊锡丝(5)连接,所述T1极引线框架引脚(3)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(6)连接,所述T2极引线框架引脚(31)上端封装在塑封体(1)内,所述G极引线框架引脚(32)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(6)连接,所述芯片(6)封装在塑封体(1)内,所述引线框架散热片(2)部分封装在塑封体(1)上。

2.如权利要求1所述一种采用绝缘封装的可控硅,其特征在于:所述引线框架散热片(2)上远离T2极引线框架引脚(31)的一侧开设有圆形孔(21)。

3.如权利要求2所述一种采用绝缘封装的可控硅,其特征在于:所述芯片(6)为阳极面朝下置于引线框架散热片(2)上,所述芯片(6)阴极区上分为G极(61)和T1极(62),所述T1极引线框架引脚(3)上靠近芯片(6)处连接有T1极焊丝部(33),所述T1极焊丝部(33)通过两根连接线(8)与T1极(62)连接,所述G极引线框架引脚(32)上靠近芯片(6)处连接有G极焊丝部(34),所述G极焊丝部(34)通过连接线(8)与G极(61)连接。

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