[实用新型]蚀刻设备有效
| 申请号: | 201921322810.3 | 申请日: | 2019-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN210429746U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
| 发明(设计)人: | 黄圣修;刘春;徐嘉阳 | 申请(专利权)人: | 友达光电(昆山)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
| 地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 设备 | ||
本实用新型提供一种蚀刻设备。蚀刻设备包括至少一蚀刻槽;一冷却装置,具有一冷却槽与一冷却水循环管路,且所述冷却槽具有一冷水出口与一温水进口,所述冷却水循环管路分别连通于所述冷水出口与所述温水进口;其中,所述冷却装置还包括一辅助补水管路,所述辅助补水管路分别连通于所述蚀刻槽与所述冷水出口之间。
技术领域
本实用新型涉及一种蚀刻设备,尤其涉及一种能够对蚀刻槽进行冷却并补水的蚀刻设备。
背景技术
在半导体制造过程中,需要通过蚀刻设备进行减薄,所以蚀刻率的控制对于减薄效果产生重要的影响。当蚀刻率过高时,容易导致表面蚀刻不均匀,甚至损坏整个产品。因此,需要降低蚀刻率,即减小蚀刻液的浓度,向蚀刻槽中加水是最快速有效的方法。
对于现有设备而言,机台架构相当紧凑,已无更多的空间增加额外的补水系统;而且现有设备没有自动补水功能,只能在蚀刻率过高时进行停机补水,且补水后需要进一步等待蚀刻液混合均匀,导致影响生产效率;另外,一次性补水容易导致蚀刻表面产生水波纹;最后,蚀刻液中定量补水有延迟现象,且容易产生产品特性不均匀的风险。
因此,如何能在生产过程中,自动、均匀对蚀刻设备进行补水,实为亟待解决的问题之一。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种蚀刻设备,能够在生产过程中,对蚀刻设备进行自动且均匀补水。
为了实现上述目的,本实用新型提供了一种蚀刻设备,包括至少一蚀刻槽;一冷却装置,具有一冷却槽与一冷却水循环管路,且所述冷却槽具有一冷水出口与一温水进口,所述冷却水循环管路分别连通于所述冷水出口与所述温水进口;其中,所述冷却装置还包括一辅助补水管路,所述辅助补水管路分别连通于所述蚀刻槽与所述冷水出口之间。
上述的蚀刻设备,其中,所述冷却水循环管路的流量大于所述辅助补水管路。
上述的蚀刻设备,其中,所述冷却水循环管路包含多条第一管路,所述辅助补水管路包含多条第二管路,其中,每一第一管路与每一第二管路的管径相同,且所述第一管路的数目多于所述第二管路的数目。
上述的蚀刻设备,其中,更包含一第一控制开关,设置于所述冷水出口。
上述的蚀刻设备,其中,所述第一控制开关包括手动控制开关或自动控制开关。
上述的蚀刻设备,其中,还包括一温度检测器,设置于所述蚀刻槽,其中,所述温度检测器耦接至所述第一控制开关。
上述的蚀刻设备,其中,所述辅助补水管路的流量为0.4-0.6升/分钟。
为了实现上述目的,本实用新型还提供一种蚀刻设备,包括至少一蚀刻槽;一冷却装置,具有一第一控制开关、一冷却水循环管路与一辅助补水管路,所述第一控制开关分别连接于所述冷却水循环管路与所述辅助补水管路,所述辅助补水管路分别连接于所述冷却装置与所述蚀刻槽;一温度检测器,分别耦接于所述蚀刻槽与所述第一控制开关;其中,当温度检测器等于或大于一第一门限值时,所述第一控制开关为一致动状态,使得所述冷却水循环管路为一水连通路径,所述辅助补水管路分别连通于所述蚀刻槽与所述冷却装置。
上述的蚀刻设备,其中,当温度检测器等于或小于一第二门限值时,所述第一控制开关为一禁止状态。
上述的蚀刻设备,其中,所述冷却水循环管路的流量大于所述辅助补水管路。
本实用新型的有益功效在于:通过辅助补水管路,向蚀刻设备实现自动、均匀补水,节约生产时间,提高生产效率,且增加产品良率。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述,但不作为对本实用新型的限定。
附图说明
图1是本实用新型一实施例蚀刻设备的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





