[实用新型]蚀刻设备有效
| 申请号： | 201921322810.3 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN210429746U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 黄圣修;刘春;徐嘉阳 | 申请（专利权）人： | 友达光电(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 | ||
1.一种蚀刻设备，其特征在于，包括：
至少一蚀刻槽；
一冷却装置，具有一冷却槽与一冷却水循环管路，且所述冷却槽具有一冷水出口与一温水进口，所述冷却水循环管路分别连通于所述冷水出口与所述温水进口；
其中，所述冷却装置还包括一辅助补水管路，所述辅助补水管路分别连通于所述蚀刻槽与所述冷水出口之间。
2.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述冷却水循环管路的流量大于所述辅助补水管路。
3.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述冷却水循环管路包含多条第一管路，所述辅助补水管路包含多条第二管路，其中，每一第一管路与每一第二管路的管径相同，且所述第一管路的数目多于所述第二管路的数目。
4.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，更包含一第一控制开关，设置于所述冷水出口。
5.根据权利要求4所述的蚀刻设备，其特征在于，所述第一控制开关包括手动控制开关或自动控制开关。
6.根据权利要求4所述的蚀刻设备，其特征在于，还包括一温度检测器，设置于所述蚀刻槽，其中，所述温度检测器耦接至所述第一控制开关。
7.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述辅助补水管路的流量为0.4-0.6升/分钟。
8.一种蚀刻设备，其特征在于，包括：
至少一蚀刻槽；
一冷却装置，具有一第一控制开关、一冷却水循环管路与一辅助补水管路，所述第一控制开关分别连接于所述冷却水循环管路与所述辅助补水管路，所述辅助补水管路分别连接于所述冷却装置与所述蚀刻槽；
一温度检测器，分别耦接于所述蚀刻槽与所述第一控制开关；
其中，当温度检测器等于或大于一第一门限值时，所述第一控制开关为一致动状态，使得所述冷却水循环管路为一水连通路径，所述辅助补水管路分别连通于所述蚀刻槽与所述冷却装置。
9.根据权利要求8所述的蚀刻设备，其特征在于，当温度检测器等于或小于一第二门限值时，所述第一控制开关为一禁止状态。
10.根据权利要求8所述的蚀刻设备，其特征在于，所述冷却水循环管路的流量大于所述辅助补水管路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
