[实用新型]一种新型SIP-hybrid芯片封装结构

说明书

本实用新型的一种新型SIP‑hybrid芯片封装结构，包括芯片和基板，所述芯片正面、背面均设置有凸点，芯片开设多个通孔，所述通孔配设铜柱连接芯片正面和背面的凸点，所述芯片通过芯片正面的凸点焊接于基板正面；芯片背面设置有第一金属线路层，所述第一金属线路层与芯片背面的凸点相连，并通过铜柱与芯片正面凸点相连；所述芯片、第一金属线路层以及背面的凸点外围包封有塑封料。本实用新型采用新型SIP‑hybrid芯片封装结构，可以减小产品塑封体尺寸，从而提升产品散热性，利用基板印刷锡膏方式与芯片相连，可以有效解决芯片破裂问题。

技术领域

本实用新型涉及一种芯片封装，具体涉及一种新型SIP-hybrid芯片封装结构。

背景技术

为了应电子产品轻薄短小、高频化、模块化与多功能化的趋势，电子元组件相对地被要求整合性与集成度(integration)提高。因此，新时代高频宽频材料与元件技术将是未来技术关键。透过新封装(package)材料的突破、新工艺的开发及设计技术的整合，现今已达成系统化模块封装(system in package，SIP)的层次。而随着半导体行业的快速发展，用于实现单个芯片和多个芯片封装hybrid技术得到增强。它将多个不同功能芯片使用不同工艺贴装(倒装芯片工艺/正面贴装芯片工艺)在一起，使单个封装体实现更多的功能，可以更好的减小产品尺寸。

采用现有技术叠装正面芯片时，容易造成底部倒装芯片背面破裂以及正面芯片打线出现不稳定，且由于贴装2个芯片，芯片进行塑封时，产品塑封体尺寸较大，从而导致产品散热性差。

发明内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提供了一种可以减小产品塑封体尺寸，提升产品散热性，有效解决芯片破裂问题的芯片封装结构。

为实现上述目的，本实用新型的一种新型SIP-hybrid芯片封装结构，包括芯片和基板，所述芯片正面、背面均设置有凸点，芯片开设多个通孔，所述通孔配设铜柱连接芯片正面和背面的凸点，所述芯片通过芯片正面的凸点焊接于基板正面；芯片背面设置有第一金属线路层，所述第一金属线路层与芯片背面的凸点相连，并通过铜柱与芯片正面凸点相连；所述芯片、第一金属线路层以及背面的凸点外围包封有塑封料。

进一步地，芯片正面设有第二金属线路层，所述第二金属线路层通过铜柱与第一金属线路层相连，所述第二金属线路层与芯片正面的凸点相连，并通过凸点与基板相连。

作为优选，芯片背面的凸点选用回流固化锡膏方式与基板焊点焊接。

作为优选，所述通孔为硅穿孔。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：

第一，芯片表面重新布线层通过硅穿孔开设并设立铜柱，利用基板印刷锡膏方式，达到芯片与基板线路相连；

第二，芯片表面重新布线层同时进行打线，实现SIP-Hybrid技术；

第三，芯片第二金属线路层通过TSV电镀铜柱，利用基板印刷锡膏方式，达到芯片与基板线路相连，减少芯片破损；

第四，芯片重新布线采用分开布线方式，减小芯片线路电磁干扰，达到芯片hybrid功能。

附图说明

图1为实施例1的结构示意图；

图2为实施例2的结构示意图；

图中的附图标记为：基板1；锡膏2；芯片3；通孔31；铜柱4；塑封料6；第一金属线路层7；第二金属线路层8。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步阐述：

实施例1