[实用新型]一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器

说明书

本实用新型公开了一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器，包括水平极化电路和垂直极化电路，水平极化电路包括三级的水平射频放大电路、水平滤波电路、水平混频电路、两级的水平中频放大电路、集成切换开关和输出电路，垂直极化电路包括三级的垂直射频放大电路、垂直滤波电路、垂直混频电路、两级的垂直中频放大电路、集成切换开关和输出电路。本机振荡器上罩有金属罩且设置在电路板的中央位置，水平极化电路设置在金属罩的右下方，垂直极化电路设置在金属罩的左上方，充分利用了金属罩的隔离功能，避免了在水平极化电路与垂直极化电路之间焊接传统的隔离片，能有效抑制极化间的相互干扰和降低极化间的相互辐射，降低电路布局的成本。

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域，特别是一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器。

背景技术

传统的双输出或多输出的降频器在对信号进行高频放大时，水平极化电路和垂直极化电路同时进行工作，所以信号在经多级场效应放大后会变得非常强，导致各极化信号会在电路的空腔内流窜，引起相互间干扰、自激等现象；目前市面上的降频器对此现象的解决方案有：尽量减少信号的多级放大，且在电路的水平极化电路与垂直极化电路之间人为地焊接一块金属隔离片以用作隔离；但该解决方案使得电路布局变得较为复杂，同时额外地焊接金属隔离片也相应地增加了电路的设计成本。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器，对传统的电路进行优化，降低电路布局的复杂度，一方面能够增强信号的放大强度，另一方面能够有效抑制极化间的相互干扰，同时降低电路的制作成本。

本实用新型解决其问题所采用的技术方案是：

一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器，包括水平极化天线、垂直极化天线、机壳、设置在机壳内的电路板和设置在机壳上的输出头，所述输出头包括水平极化输出头和垂直极化输出头，所述电路板上设置有水平一级射频放大器、水平二级射频放大器、水平三级射频放大器、水平滤波器、水平混频器、水平一级中频放大器，水平二级中频放大器、垂直一级射频放大器、垂直二级射频放大器、垂直三级射频放大器、垂直滤波器、垂直混频器、垂直一级中频放大器，垂直二级中频放大器、本机振荡器和集成切换开关，所述本机振荡器包括第一本振信号输出端和第二本振信号输出端，所述本机振荡器设置在所述电路板的中央位置，所述本机振荡器上罩有正方形的金属罩，所述水平一级射频放大器、所述水平二级射频放大器、所述水平三级射频放大器、所述水平滤波器、所述水平混频器、所述水平一级中频放大器和所述水平二级中频放大器分别设置在所述金属罩的右下方，所述垂直一级射频放大器、所述垂直二级射频放大器、所述垂直三级射频放大器、所述垂直滤波器、所述垂直混频器、所述垂直一级中频放大器和所述垂直二级中频放大器分别设置在所述金属罩的左上方；所述集成切换开关设置在所述金属罩的右边；

所述水平极化天线、所述水平一级射频放大器、所述水平二级射频放大器、所述水平三级射频放大器、所述水平滤波器、所述水平混频器、所述水平一级中频放大器、所述集成切换开关、所述水平二级中频放大器和所述水平极化输出头依次连接，所述垂直极化天线、所述垂直一级射频放大器、所述垂直二级射频放大器、所述垂直三级射频放大器、所述垂直滤波器、所述垂直混频器、所述垂直一级中频放大器、所述集成切换开关、所述垂直二级中频放大器和所述垂直极化输出头依次连接，所述水平混频器的信号输入端与第二本振信号输出端连接，所述垂直混频器的信号输入端与第一本振信号输出端连接。

进一步，所述水平滤波器和所述垂直滤波器均为对称式腔体微带线路异频带通滤波器。

进一步，所述本机振荡器的振荡频率为5150MHz。

进一步，所述水平一级射频放大器和所述垂直一级射频放大器均采用CKRF8513芯片。

进一步，所述水平二级射频放大器和所述垂直二级射频放大器均采用BFU668F芯片。