[实用新型]一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器有效

专利信息
申请号: 201921301542.7 申请日: 2019-08-12
公开(公告)号: CN210380771U 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 叶远龙 申请(专利权)人: 珠海市普斯赛特科技有限公司
主分类号: H03D1/04 分类号: H03D1/04;H03D7/14
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 张龙哺
地址: 519060 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 波段 介质 振荡 抗干扰 偏置 降频器
【权利要求书】:

1.一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,包括水平极化天线、垂直极化天线、机壳、设置在机壳内的电路板和设置在机壳上的输出头,所述输出头包括水平极化输出头和垂直极化输出头,其特征在于:所述电路板上设置有水平一级射频放大器、水平二级射频放大器、水平三级射频放大器、水平滤波器、水平混频器、水平一级中频放大器,水平二级中频放大器、垂直一级射频放大器、垂直二级射频放大器、垂直三级射频放大器、垂直滤波器、垂直混频器、垂直一级中频放大器,垂直二级中频放大器、本机振荡器和集成切换开关,所述本机振荡器包括第一本振信号输出端和第二本振信号输出端,所述本机振荡器设置在所述电路板的中央位置,所述本机振荡器上罩有正方形的金属罩,所述水平一级射频放大器、所述水平二级射频放大器、所述水平三级射频放大器、所述水平滤波器、所述水平混频器、所述水平一级中频放大器和所述水平二级中频放大器分别设置在所述金属罩的右下方,所述垂直一级射频放大器、所述垂直二级射频放大器、所述垂直三级射频放大器、所述垂直滤波器、所述垂直混频器、所述垂直一级中频放大器和所述垂直二级中频放大器分别设置在所述金属罩的左上方;所述集成切换开关设置在所述金属罩的右边;所述水平极化天线、所述水平一级射频放大器、所述水平二级射频放大器、所述水平三级射频放大器、所述水平滤波器、所述水平混频器、所述水平一级中频放大器、所述集成切换开关、所述水平二级中频放大器和所述水平极化输出头依次连接,所述垂直极化天线、所述垂直一级射频放大器、所述垂直二级射频放大器、所述垂直三级射频放大器、所述垂直滤波器、所述垂直混频器、所述垂直一级中频放大器、所述集成切换开关、所述垂直二级中频放大器和所述垂直极化输出头依次连接,所述水平混频器的信号输入端与第二本振信号输出端连接,所述垂直混频器的信号输入端与第一本振信号输出端连接。

2.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述水平滤波器和所述垂直滤波器均为对称式腔体微带线路异频带通滤波器。

3.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述本机振荡器的振荡频率为5150MHz。

4.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述水平一级射频放大器和所述垂直一级射频放大器均采用CKRF8513芯片。

5.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述水平二级射频放大器和所述垂直二级射频放大器均采用BFU668F芯片。

6.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述水平三级射频放大器和所述垂直三级射频放大器均采用UA2700芯片。

7.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述水平一级中频放大器和所述垂直一级中频放大器均采用SMA3101芯片。

8.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述集成切换开关为4x2集成电路矩阵复合开关,采用GW8875B芯片。

9.根据权利要求1所述的一种C波段介质振荡型抗干扰正偏置降频器,其特征在于:所述水平二级中频放大器和所述垂直二级中频放大器均采用PBR957芯片。

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