[实用新型]一种FAB生产厂房

说明书

本实用新型涉及集成电路生产技术领域，公开一种FAB生产厂房。FAB生产厂房，包括从上至下依次设置的洁净生产层、洁净下夹层和下技术夹层，其中，所述下技术夹层中增设有第一洁净生产区。增设的该第一洁净生产区位于洁净下夹层的下方，形成上下双层洁净室。在上述FAB生产厂房的下技术夹层增设洁净生产区，可以增大生产面积，减少晶圆的生产传输路线，也有利于消防疏散。

技术领域

本实用新型涉及集成电路生产技术领域，特别涉及一种FAB生产厂房。

背景技术

现有的FAB生产厂房，一般包括洁净生产层、洁净下夹层和下技术夹层三层结构，且只在洁净生产层设置洁净生产区，生产面积利用偏低。

实用新型内容

本实用新型公开了一种FAB生产厂房，用以扩大洁净生产面积，提高FAB生产厂房利用率。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种FAB生产厂房，包括从上至下依次设置的洁净生产层、洁净下夹层和下技术夹层，其中，所述下技术夹层中增设有第一洁净生产区。增设的该第一洁净生产区位于洁净下夹层的下方，形成上下双层洁净室。在上述FAB生产厂房的下技术夹层增设洁净生产区，可以增大生产面积，减少晶圆的生产传输路线，也有利于消防疏散。

可选的，所述FAB生产厂房还包括贯穿所述洁净下夹层和所述下技术夹层、用于支撑所述洁净生产层的密集支撑柱；其中，位于所述第一洁净生产区内的所述密集支撑柱的间距为6m-12m。

可选的，位于所述第一洁净生产区内的所述密集支撑柱的间距为9.6m。

可选的，所述洁净生产层包括第二洁净生产区和第三洁净生产区，所述第二洁净生产区的防微振等级低于所述第三洁净生产区的防微振等级；所述第一洁净生产区位于所述第二洁净生产区的下方。

可选的，所述第一洁净生产区下方采用下沉式高架地板。

可选的，所述洁净生产层和洁净下夹层的两侧或一侧设有回风夹道。

可选的，所述FAB生产厂房还包络位于所述洁净下夹层的一侧或者两侧的边跨区域，其中，至少一侧的边跨区域中设有第四洁净生产区。

可选的，所述FAB生产厂房为12英寸集成电路生产厂房。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种FAB生产厂房的结构框图；

图2为本实用新型实施例提供的一种FAB生产厂房的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1和图2所示，本实用新型实施例提供了一种FAB生产厂房，包括从上至下依次设置的洁净生产层1、洁净下夹层2和下技术夹层3三层结构，其中，所述下技术夹层3中设有第一洁净生产区31。

上述FAB生产厂房中，在下技术夹层3中增设第一洁净生产区31，可以增大生产面积，增设的该第一洁净生产区31位于洁净下夹层2的下方，形成上下双层洁净室，可以减少晶圆的生产传输路线，有利于消防疏散。具体的，上述FAB生产厂房预计最少可以增加20％的洁净生产面积。另外，现有技术中，下技术夹层3为辅助动力区，在下技术夹层3中增设第一洁净生产区31，对于该层的原有规划设置影响较小。

一种具体的实施例中，本实用新型实施例的FAB生产厂房可以为12英寸集成电路生产厂房。