[实用新型]一种半导体废水的处理系统有效

专利信息
申请号: 201921282366.7 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN210457769U 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 施国新;钱震;马辑;沈培新;李宇庆 申请(专利权)人: 苏州苏净环保工程有限公司
主分类号: C02F9/06 分类号: C02F9/06;C02F101/20;C02F101/30
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 向亚兰
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 废水 处理 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体废水的处理系统,其特征在于,所述处理系统包括依次连通的半导体废水pH值调节池、混凝反应池、浓缩槽、管式微滤膜系统、管式微滤膜产水水箱、活性炭过滤器、一级反渗透系统、二级反渗透系统和连续电除盐系统,还包括回流管、螯合树脂离子交换器,所述回流管的两端分别连通所述浓缩槽与所述管式微滤膜系统,所述一级反渗透系统的浓水出口、所述二级反渗透系统的浓水出口分别与所述螯合树脂离子交换器连通;其中,所述活性炭过滤器具有至少两个且相互并联设置。

2.根据权利要求1所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述处理系统还包括碱液储槽、混凝剂储罐,所述碱液储槽与所述半导体废水pH值调节池连通,所述混凝剂储罐与所述混凝反应池连通。

3.根据权利要求1所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述处理系统还包括活性炭产水水箱,所述活性炭产水水箱设置在所述活性炭过滤器与所述一级反渗透系统之间。

4.根据权利要求1所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述处理系统还包括一级反渗透系统产水水箱、二级反渗透系统产水水箱和回用水箱,所述一级反渗透系统产水水箱设置在所述一级反渗透系统与所述二级反渗透系统之间,所述二级反渗透系统产水水箱设置在所述二级反渗透系统与所述连续电除盐系统之间,所述回用水箱与所述连续电除盐系统连通。

5.根据权利要求4所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述处理系统还包括与所述管式微滤膜产水水箱连通的用于调节所述管式微滤膜产水水箱内体系pH值的工艺水进水管。

6.根据权利要求5所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述工艺水进水管与所述回用水箱连通。

7.根据权利要求1所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述处理系统还包括污泥浓缩池,所述污泥浓缩池分别与所述浓缩槽、所述管式微滤膜系统连通。

8.根据权利要求1所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述管式微滤膜系统采用的管式微滤膜的孔径控制为0.04-0.06μm。

9.根据权利要求1所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述一级反渗透系统采用的一级反渗透膜为海德能PROC10反渗透膜。

10.根据权利要求1所述的半导体废水的处理系统,其特征在于,所述二级反渗透系统采用的二级反渗透膜为海德能CPA3反渗透膜。

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