[实用新型]一种安全性高的退火炉有效
申请号: | 201921255697.1 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN210167339U | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 施兴建 | 申请(专利权)人: | 绍兴兴科元管业有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 成都明涛智创专利代理有限公司 51289 | 代理人: | 王巍敏 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 安全性 退火炉 | ||
本实用新型涉及退火设备技术领域,且公开了一种安全性高的退火炉,包括退火炉本体。该安全性高的退火炉,通过转动螺纹盖使得螺纹盖与螺纹套筒分离,螺纹盖与螺纹套筒分离后向外拉动连接竖杆,将连接竖杆拉动至螺纹套筒的外部时转动连接竖杆使得连接竖杆在压力弹簧的作用下与螺纹套筒紧密贴合,且固定杆在连接竖杆、连接杆和挡块的作用下移动至固定槽的外部,此时就可以将移动块和竖板从传送平台的表面拆卸下来进行更换,该装置相对于传统一成不变的传送平台而言变更为可以根据现场具体情况进行更换,使得传送平台的安全性更高,且在退火炉为进行工作时将移动块和竖板拆卸后更方便对传送平台进行维护。
技术领域
本实用新型涉及退火设备技术领域,具体为一种安全性高的退火炉。
背景技术
退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能,热处理是针对不同的效果而设计的,可以加热晶片以激活掺杂剂,将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面,使致密沉积的薄膜,改变生长的薄膜的状态,修复注入的损伤,移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底,退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中,例如氧化,或者可以自己处理,退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的,退火炉是节能型周期式作业炉,超节能结构,采用纤维结构,节电60%。
市面上的退火炉一般使用传送轮进行运输,但是由于需要退火的工件不同导致传送时容易出现工件从传送轮的表面掉落,此时就存在安全隐患,故此提出一种安全性高的退火炉来解决上述所提出的问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种安全性高的退火炉,具备安全性高等优点,解决了存在安全隐患的问题。
(二)技术方案
为实现上述安全性高的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种安全性高的退火炉,包括退火炉本体,所述退火炉本体的前侧固定连接有底座,底座的顶部固定连接有传送平台,传送平台的顶部和底部均开设有数量为两个的移动槽,移动槽的内部活动连接有移动块,左右两侧所述移动块相背一侧均与竖板固定连接,上下两侧所述移动块相对一侧均开设有转动槽,转动槽的内部活动连接有与移动槽槽内侧壁相接触的转动块,所述传送平台的左右两侧均开设有固定槽,左右两侧所述竖板相背一侧均固定连接有安装块,安装块的内壁开设有中空腔,左右两侧所述安装块相背一侧均插接有延伸至中空腔内部的连接杆,连接杆的外部套接有位于中空腔内部的挡块,连接杆的外部套接有与挡块和中空腔腔内侧壁相连接的压力弹簧,左右两侧所述挡块相对一侧均固定连接有延伸至固定槽内部的固定杆,左右两侧所述安装块相背一侧均固定连接有螺纹套筒,螺纹套筒的上下两侧均开设有连接凹槽,左右两侧所述连接杆相背一侧均固定连接有贯穿连接凹槽且延伸至螺纹套筒外部的连接竖杆,螺纹套筒的外部套接有与连接竖杆相接触且与螺纹套筒相匹配的螺纹盖,上方所述移动块的顶部固定连接有防护板。
优选的,所述移动块共有八个,八个所述移动块分为上下两组,一组四个所述移动块分为左右两行,一行两个所述移动块呈对称分布。
优选的,所述防护板共有两个,两个所述防护板分别与上方两行所述移动块为一一对应的关系。
优选的,所述转动槽共由十六个,十六个所述转动槽分为八组,八组所述转动槽与八个所述移动块呈一一对应的关系,且转动槽为球形槽。
优选的,所述转动块为球形块,转动块的直径小于转动槽的直径。
优选的,所述固定槽共有二十个,二十个所述固定槽分为左右两组,一组十个所述固定槽呈等距分布。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种安全性高的退火炉,具备以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造