[实用新型]一种硅片清洗机有效
申请号: | 201921249231.0 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN210586132U | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 韩建建 | 申请(专利权)人: | 山西东明光伏科技有限公司 |
主分类号: | B08B3/04 | 分类号: | B08B3/04;B08B17/04;H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 马金华 |
地址: | 046021 山西省*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 | ||
本实用新型涉及一种硅片清洗机,包括清洗机机体、储藏箱、透明侧壁、侧壁轨道、机顶装置、控制面板、滑动拉柄、通明薄膜、通风洞口、出水龙头、水槽防尘盖、背板,所述清洗机机体下设置两个储藏箱,清洗机机体上表面设置水槽,水槽上设置水槽防尘盖,水槽防尘盖通过内置合页与清洗机机体连接,所述清洗机机体上表面两侧面设置透明侧壁,透明侧壁上设置侧壁轨道,所述清洗机机体通过背板与机顶装置连接,所述背板上设置若干通风洞口,硅片清洗机无论是何种清洗机都应保持在无尘的环境下进行,解决了现有的硅片受到灰尘的影响的问题,宜推广使用。
技术领域
本实用新型涉及芯片加工器材领域,尤其涉及一种硅片清洗机。
背景技术
硅片清洗机物理清洗有三种方法:刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。高压清洗:是用液体喷射片子表面,喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用,片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用,靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。超声波清洗:超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染,但现有的硅片清洗机无论是何种清洗机都应保持在无尘的环境下进行,这样才能够使硅片不会受到灰尘的影响,而使性能降低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种硅片清洗机,以解决上述技术问题,为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案:
一种硅片清洗机,包括清洗机机体、储藏箱、透明侧壁、侧壁轨道、机顶装置、控制面板、滑动拉柄、通明薄膜、通风洞口、出水龙头、水槽防尘盖、背板,所述清洗机机体下设置两个储藏箱,清洗机机体上表面设置水槽,水槽上设置水槽防尘盖,水槽防尘盖通过内置合页与清洗机机体连接,所述清洗机机体上表面两侧面设置透明侧壁,透明侧壁上设置侧壁轨道,所述清洗机机体通过背板与机顶装置连接,所述背板上设置若干通风洞口,所述机顶装置上设置控制面板,所述滑动拉柄两端通过滑轮插入到侧壁轨道内,滑动拉柄与通明薄膜连接,所述通明薄膜卷为一卷,隐藏于机顶装置内,所述清洗机机体上设置三个出水龙头。
在上述技术方案基础上,所述三个出水龙头共有一个进水管道,所述水槽防尘盖下的水槽共用一个下水管道。
在上述技术方案基础上,所述通明薄膜为高强度PVC薄膜,通明薄膜能够隔绝硅片清洗机内外的空气流动。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:本实用新型设计合理,硅片清洗机无论是何种清洗机都应保持在无尘的环境下进行,解决了现有的硅片受到灰尘的影响的问题,提高硅片清洗机的防尘能力,安全可靠,宜推广使用。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图。
图2为本实用新型密封后结构示意图。
图中:清洗机机体1、储藏箱2、透明侧壁3、侧壁轨道4、机顶装置5、控制面板6、滑动拉柄7、通明薄膜8、通风洞口9、出水龙头10、水槽防尘盖11、背板12。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细阐述。
一种硅片清洗机,包括清洗机机体1、储藏箱2、透明侧壁3、侧壁轨道4、机顶装置5、控制面板6、滑动拉柄7、通明薄膜8、通风洞口9、出水龙头10、水槽防尘盖11、背板12,所述清洗机机体1下设置两个储藏箱2,清洗机机体1上表面设置水槽,水槽上设置水槽防尘盖11,水槽防尘盖11通过内置合页与清洗机机体1连接,所述清洗机机体1上表面两侧面设置透明侧壁3,透明侧壁3上设置侧壁轨道4,所述清洗机机体1通过背板12与机顶装置5连接,所述背板12上设置若干通风洞口9,所述机顶装置5上设置控制面板6,所述滑动拉柄7两端通过滑轮插入到侧壁轨道4内,滑动拉柄7与通明薄膜8连接,所述通明薄膜8卷为一卷,隐藏于机顶装置5内,所述清洗机机体1上设置三个出水龙头10。
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