[实用新型]一种外接开关自锁后直流欠压保护控制器

权利要求书

1.一种外接开关自锁后直流欠压保护控制器，其特征在于：包括开关（S1）、欠压监测电路、正反馈回路和放电控制回路；

所述欠压监测电路由第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和二极管（D1）组成；所述正反馈回路由第三电阻（R3）组成；所述放电控制回路由第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6）、第一晶体管（Q1）、第二晶体管（Q2） 和功率半导体器件（Q3）组成；

所述开关（S1）的一端连接输入端正极（B+），所述开关（S1）的另一端连接输出端正极（P+）；

所述放电控制回路中，一方面，所述第一晶体管（Q1）的发射极与所述输出端正极（P+）连接，所述第一晶体管（Q1）的集电极通过所述第五电阻（R5）和所述第四电阻（R4）与输入端负极（B-）连接，所述功率半导体器件（Q3）的栅极接在所述第五电阻（R5）和所述第四电阻（R4）之间，所述功率半导体器件（Q3）的源极与输出端负极（P-）连接，所述功率半导体器件（Q3）的漏极与所述输出入端负极（B-）连接，所述第一晶体管（Q1）、所述第五电阻（R5）、所述第四电阻（R4）串联在所述输出端正极（P+）与所述输入端负极（B-）之间，形成对所述功率半导体器件（Q3）的控制回路；另一方面，所述第二晶体管（Q2）的发射极与所述输入端负极（B-）连接，所述第二晶体管（Q2）的集电极通过所述第六电阻（R6）与所述第一晶体管（Q1）的基极连接，所述第二晶体管（Q2）、所述第六电阻（R6）串联在所述第一晶体管（Q1）的基极与所述输入端负极（B-）之间，形成对所述第一晶体管（Q1）的控制回路；

在欠压监测电路中，所述第一电阻（R1）、所述第二电阻（R2）串联在所述输出端正极（P+）与输入端负极（B-）之间，所述二极管（D1）的阴极连接在所述第一电阻（R1）与第二电阻（R2）之间，所述二极管（D1）的阳极与所述第二晶体管（Q2）的基极连接；

在正反馈回路中，所述第三电阻（R3）的一端连接在所述第一电阻（R1）与所述第二电阻（R2）之间，所述第三电阻（R3）的另一端连接在所述第一晶体管（Q1）的集电极与所述第五电阻（R5）之间。

2.根据权利要求1所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器，其特征在于：所述功率半导体器件（Q3）为N型MOS管，所述第一晶体管（Q1）为NPN型双极晶体管，所述第二晶体管（Q2）为PNP型双极晶体管。

3.根据权利要求2所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器，其特征在于：当所述开关（S1）闭合且电源出现欠压后时，所述第一晶体管（Q1）、所述第二晶体管（Q2）与所述功率半导体器件（Q3）依次关断，控制器处于欠压保护状态；反之，当电源电压恢复至欠压保护恢复阈值以上时，所述第一晶体管（Q1）、所述第二晶体管（Q2）与所述功率半导体器件（Q3）依次导通，控制器处于正常导通状态。

4.根据权利要求3所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器，其特征在于：所述第一晶体管（Q1）导通时，所述第三电阻（R3）两端电流由所述第一晶体管（Q1）的集电极流向所述第二电阻（R2），从而增大所述第二电阻（R2）两端压降，形成导通正反馈回路，降低欠压保护阈值；反之，所述第一晶体管（Q1）关断时，所述第三电阻（R3）两端电流由所述第一电阻（R1）流向所述第五电阻（R5），形成对第二电阻（R2）的并联对地回路，减小所述第二电阻（R2）两端压降，形成关断正反馈回路，抬高欠压保护恢复阈值。

5.根据权利要求4所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器，其特征在于：所述开关（S1）为可手动控制的开关，在控制器处在保护状态下，且电源电压在欠压保护阈值与欠压保护恢复阈值之间时，手动断开所述开关（S1）并重新闭合可使控制器恢复导通。