[实用新型]一种外接开关自锁后直流欠压保护控制器有效

专利信息
申请号: 201921239827.2 申请日: 2019-08-02
公开(公告)号: CN210380227U 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 戴永兵;钱志清 申请(专利权)人: 苏州亮明工具有限公司
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24
代理公司: 苏州通途佳捷专利代理事务所(普通合伙) 32367 代理人: 翁德亿
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 外接 开关 直流 保护 控制器
【权利要求书】:

1.一种外接开关自锁后直流欠压保护控制器,其特征在于:包括开关(S1)、欠压监测电路、正反馈回路和放电控制回路;

所述欠压监测电路由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和二极管(D1)组成;所述正反馈回路由第三电阻(R3)组成;所述放电控制回路由第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2) 和功率半导体器件(Q3)组成;

所述开关(S1)的一端连接输入端正极(B+),所述开关(S1)的另一端连接输出端正极(P+);

所述放电控制回路中,一方面,所述第一晶体管(Q1)的发射极与所述输出端正极(P+)连接,所述第一晶体管(Q1)的集电极通过所述第五电阻(R5)和所述第四电阻(R4)与输入端负极(B-)连接,所述功率半导体器件(Q3)的栅极接在所述第五电阻(R5)和所述第四电阻(R4)之间,所述功率半导体器件(Q3)的源极与输出端负极(P-)连接,所述功率半导体器件(Q3)的漏极与所述输出入端负极(B-)连接,所述第一晶体管(Q1)、所述第五电阻(R5)、所述第四电阻(R4)串联在所述输出端正极(P+)与所述输入端负极(B-)之间,形成对所述功率半导体器件(Q3)的控制回路;另一方面,所述第二晶体管(Q2)的发射极与所述输入端负极(B-)连接,所述第二晶体管(Q2)的集电极通过所述第六电阻(R6)与所述第一晶体管(Q1)的基极连接,所述第二晶体管(Q2)、所述第六电阻(R6)串联在所述第一晶体管(Q1)的基极与所述输入端负极(B-)之间,形成对所述第一晶体管(Q1)的控制回路;

在欠压监测电路中,所述第一电阻(R1)、所述第二电阻(R2)串联在所述输出端正极(P+)与输入端负极(B-)之间,所述二极管(D1)的阴极连接在所述第一电阻(R1)与第二电阻(R2)之间,所述二极管(D1)的阳极与所述第二晶体管(Q2)的基极连接;

在正反馈回路中,所述第三电阻(R3)的一端连接在所述第一电阻(R1)与所述第二电阻(R2)之间,所述第三电阻(R3)的另一端连接在所述第一晶体管(Q1)的集电极与所述第五电阻(R5)之间。

2.根据权利要求1所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器,其特征在于:所述功率半导体器件(Q3)为N型MOS管,所述第一晶体管(Q1)为NPN型双极晶体管,所述第二晶体管(Q2)为PNP型双极晶体管。

3.根据权利要求2所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器,其特征在于:当所述开关(S1)闭合且电源出现欠压后时,所述第一晶体管(Q1)、所述第二晶体管(Q2)与所述功率半导体器件(Q3)依次关断,控制器处于欠压保护状态;反之,当电源电压恢复至欠压保护恢复阈值以上时,所述第一晶体管(Q1)、所述第二晶体管(Q2)与所述功率半导体器件(Q3)依次导通,控制器处于正常导通状态。

4.根据权利要求3所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器,其特征在于:所述第一晶体管(Q1)导通时,所述第三电阻(R3)两端电流由所述第一晶体管(Q1)的集电极流向所述第二电阻(R2),从而增大所述第二电阻(R2)两端压降,形成导通正反馈回路,降低欠压保护阈值;反之,所述第一晶体管(Q1)关断时,所述第三电阻(R3)两端电流由所述第一电阻(R1)流向所述第五电阻(R5),形成对第二电阻(R2)的并联对地回路,减小所述第二电阻(R2)两端压降,形成关断正反馈回路,抬高欠压保护恢复阈值。

5.根据权利要求4所述的外接开关自锁后直流欠压保护控制器,其特征在于:所述开关(S1)为可手动控制的开关,在控制器处在保护状态下,且电源电压在欠压保护阈值与欠压保护恢复阈值之间时,手动断开所述开关(S1)并重新闭合可使控制器恢复导通。

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