[实用新型]一种脉冲功率元器件加速老化控制器有效
| 申请号: | 201921224607.2 | 申请日: | 2019-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN210572593U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
| 发明(设计)人: | 孙兆龙;刘小虎;袁志方 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军海军工程大学 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 武汉楚天专利事务所 42113 | 代理人: | 胡江 |
| 地址: | 430000 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 脉冲 功率 元器件 加速 老化 控制器 | ||
1.一种脉冲功率元器件加速老化控制器,其特征在于:包括ARM处理器模块(8),及与ARM处理器模块(8)相连的PWM驱动模块(1)、温度采集模块(2)、饱和压降测量模块(3)、过流保护模块(4)、CAN通讯模块(5);按键输入模块(6)、继电器输出模块(7),所述PWM驱动模块(1)还与过流保护模块(4)相连;
所述PWM驱动模块(1)作用在于接收ARM处理器模块(8)的TTL信号,控制IGBT的开通与关断;同时PWM驱动模块还接收过流保护模块(4)的过流封锁信号;
所述温度采集模块(2)接收来自热电偶的温度信号,首先差分转单端,然后采用运放放大,最后送至温度采集模块(2)的采集芯片,温度采集模块(2)的采集芯片的数据传至ARM处理器模块(8);
所述饱和压降测量模块(3)采集加速老化对象IGBT的集电极和源极的电压差,为了防止关断时的高压损坏采集电路,采用二极管进行高压隔离,然后进行运放的调理电路,最后送至压降测量模块(3)的采集芯片,温度采集模块(2)的采集芯片的数据传至ARM处理器模块(8);
所述过流保护模块(4)采集老化对象IGBT的集电极电流,将该电流送至硬件比较器,与阈值进行比较,比较结果一方面送至ARM处理器模块(8,另一方面进行逻辑与后送至PWM模块(1);高于预警值时,延时进行预警处理;一旦高于保护值,立即封锁PWM脉冲,使IGBT立即关断;
所述通讯模块(5)采用CTM8251模块,包含电源隔离模块和光耦隔离处理,保证了数据传输的可靠性;该模块接收ARM处理器模块(8)的信号,同时与上位机进行沟通;
所述按键输入模块(6)的输出端通过IIC接口与ARM处理器模块(8)双向连接,其作用在于将按键信息传入ARM处理器模块(8);
所述继电器输出模块(7)采用大功率功放电路和扁平军用继电器,其作用在于保证了输出无源触点的可靠性所述继电器输出模块(7)用于输出信号。
2.根据权利要求1所述的脉冲功率元器件加速老化控制器,其特征在于:所述PWM驱动模块(1)采用光耦隔离电路和功率对管电路驱动,同时增加反压关断措施;PWM驱动模块(1)一方面与ARM的输出信号连接,另一方面经过光耦和对管驱动后,连接至功率器件模块。
3.根据权利要求1所述的脉冲功率元器件加速老化控制器,其特征在于:所述温度采集模块(2)包括热电偶、差分转单端芯片、运放电路、24位ADS1256采样芯片;采用热电偶将热信号转换为电信号,然后经过差分转单端芯片,再经过同相比例加法运放电路放大后,送至温度采集模块(2)的24位ADS1256芯片。
4.根据权利要求1所述的脉冲功率元器件加速老化控制器,其特征在于:所述饱和压降测量模块(3)包括高压隔离模块和双极性采样芯片AD7367,采用二极管进行高压隔离,经过运算放大器调理后送至双极性采样芯片AD7367。
5.根据权利要求1所述的脉冲功率元器件加速老化控制器,其特征在于:所述按键输入模块(6)包括防浪涌模块SMBJ24A、光耦模块TLP2804、带滞环的反相器;按键输入信号首先经过防浪涌模块SMBJ24A,防止办卡插拔导致的过压损坏,然后经过光耦TLP2804隔离处理,最后经过带滞环的反相器处理,并送到CPU的GPIO引脚。
6.根据权利要求1所述的脉冲功率元器件加速老化控制器,其特征在于:所述继电器输出模块(7)考虑到CPU的GPIO引脚有限,采用了I2C模块进行IO扩展,CPU的I2C模块首先经过9554转换芯片,将串行信号转换为并行信号,然后经过TLP2804光耦隔离处理,光耦隔离处理后输出到功率放大芯片ULN2803,最后驱动继电器,由继电器的无源触点输出信号。
7.根据权利要求1所述的脉冲功率元器件加速老化控制器,其特征在于:所述ARM处理器模块(8)采用STM32F103处理器,通过按键输入,确定加速老化参数及加速老化模式,同时输出PWM信号控制IGBT的工作;在IGBT工作时,实时检测导通压降和IGBT壳温,将这些数据采集并保存为数据文件。
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