[实用新型]临边防护状态检测及报警装置

权利要求书

1.一种临边防护状态检测及报警装置，其特征在于：临边护栏由多组护栏隔挡而成，每组护栏由横杆(2)及立杆(3)固定连接而成；沿所有的立杆(3)依次缠绕有铜丝线(4)，铜丝线(4)一端连接在检测模块(1)的P1端口，铜丝线(4)另一端连接在检测模块(1)的P2端口，检测模块(1)还与蓄电池连接。

2.根据权利要求1所述的临边防护状态检测及报警装置，其特征在于：所述的检测模块(1)包括ARM芯片(5)，ARM芯片(5)设置有供电端口，其中VCC端口与+3.3V电源连接，Vss端口接地；

ARM芯片(5)还设置有晶振电路和复位电路，

ARM芯片(5)的PB.0端口设置有报警控制电路，报警控制电路结构是，PB.0端口一路通过电阻R13接地，另一路通过电阻R14接入场效应管二(10)的端口1中；场效应管二(10)的端口2接地，场效应管二(10)的端口3接入晶体管光耦二(9)的端口2中；晶体管光耦二(9)的端口1通过电阻R15与+3.3V电源连接，晶体管光耦二(9)的端口3和端口4同时与蜂鸣器连接；

ARM芯片(5)的PC.13端口和PA.0端口一起连接有断线检测电路，PC.13端口属于I/O输出端口，PA.0端口属于I/O输入端口，断线检测电路的结构是，PC.13端口一路通过电阻R6接地，另一路通过电阻R5接入场效应管三(11)的端口1，场效应管三(11)的端口2接地，场效应管三(11)的端口3一路与场效应管一(7)的端口1连接，场效应管三(11)的端口3另一路通过电阻R7与场效应管一(7)的端口2连接，场效应管一(7)的端口2与+3.3V电源连接；场效应管一(7)的端口3第一路通过电阻R10和电阻R11接地，场效应管一(7)的端口3第二路接入低功率放大器(8)的端口5中，低功率放大器(8)的端口2直接接地，低功率放大器(8)的端口3通过电阻R11接地，低功率放大器(8)的端口1通过电阻R8与三极管(12)连接，低功率放大器(8)的端口4和三极管(12)的输出端共同通过电阻R12接地，三极管(12)的另一输出端连接有电阻R9，电阻R9的另一端称为P1端口；场效应管一(7)的端口3第三路接入晶体管光耦一(6)的端口1，晶体管光耦一(6)的端口3直接接地，晶体管光耦一(6)的端口2一路通过电容C4接地，晶体管光耦一(6)的端口2另一路连接有电阻R4，电阻R4的另一端称为P2端口；晶体管光耦一(6)的端口4通过电阻R2接入PA.0端口，晶体管光耦一(6)的端口4另外通过电阻R3与+3.3V电源连接。

3.根据权利要求2所述的临边防护状态检测及报警装置，其特征在于：所述的ARM芯片(5)的晶振电路结构是，其中OSC-IN端口通过电容C1接地，OSC-OUT端口通过电容C2接地，OSC-IN端口与OSC-OUT端口之间短接有晶振X1。

4.根据权利要求2所述的临边防护状态检测及报警装置，其特征在于：所述的ARM芯片(5)的复位电路结构是，Reset端口通过并联的按钮S1和电容C3接地，Reset端口另外通过电阻R1与+3.3V电源连接。

5.根据权利要求2所述的临边防护状态检测及报警装置，其特征在于：所述的ARM芯片(5)型号为STM32L051C8，晶体管光耦一(6)型号为TLP281，场效应管一(7)型号为AO3401，低功率放大器(8)型号为MCP6001，晶体管光耦二(9)型号为TLP281，场效应管二(10)型号为AO3400，场效应管三(11)型号为AO3400，三极管(12)型号为SP013。