[实用新型]一种卧式多层磁控镀膜复合CVD设备

说明书

本实用新型公开一种卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，涉及卷对卷CVD薄膜生长设备领域。该CVD设备包括设备框架，设备框架的顶部设有放卷机构、结构阀三、结构阀二、结构阀一、收卷机构、第一射频腔体、第二射频腔体、温区一、温区二；工作时采用收卷轴与放卷轴联动，经过第一射频腔体与第二射频腔体的磁控溅射，借助射频控制仪先将靶材激发溅射到基材上形成一层金属薄膜，再经两温区沉积形成由原料气体制得的纳米薄膜，可在基材上连续覆膜，得到金属薄膜夹纳米薄膜形式的复合薄膜，该CVD设备可以连续、快速、高效地制备大面积、高质量金属薄膜夹纳米薄膜形式的复合薄膜。

技术领域

本实用新型涉及卷对卷CVD薄膜生长设备领域，具体涉及一种卧式多层磁控镀膜复合CVD设备。

背景技术

CVD薄膜生长在普通气相沉积法覆膜中，通过单温区或者多温区沉积形成单面或者双面的薄膜且皆为单层薄膜。等离子增强CVD覆膜同样无法制备实用性及需求更高的多层特性金属薄膜夹纳米薄膜形式的复合薄膜。目前制作金属薄膜夹纳米薄膜形式的复合薄膜的设备，不易做到腔体内的气体在各个独立工作腔室的互不干扰。

现有的薄膜生长技术主要采用气相沉积法或者等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)，可以连续且快速地制备大面积、高质量的薄膜和CVD覆膜，通过将所需原料气体进入腔体内，经温区加热冷却后，在基材上快速制备高质量、大面积的薄膜。等离子体增强化学气相沉积法，借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该方法的优点是基本温度低，沉积速率快，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。

但是气相沉积法和PECVD两种方法制备覆膜成型，皆为单面或者双面单层薄膜，若需制备金属薄膜夹纳米薄膜形式的复合薄膜，无法达到所期望的效果；且制备此类薄膜需要多个独立工作腔室共同协作，在多个工作腔室工作时，各腔体通入原料气体及保护气体不尽相同，不易做到各腔体内气体的互不干扰。

实用新型内容

为了解决上述的技术问题，本实用新型的目的在于提供一种卧式多层磁控镀膜复合CVD设备。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：

本实用新型提供一种卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，包括设备框架，所述设备框架的顶部设有放卷机构、结构阀三、结构阀二、结构阀一、收卷机构、第一射频腔体、第二射频腔体、温区一、温区二；

所述放卷机构包括放卷舱、放卷轴，放卷轴位于放卷舱的中心轴向上，放卷舱的一端通过第一法兰与第一射频腔体的一端连接；

所述第一射频腔体的另一端与结构阀三的一端连接，结构阀三的另一端与温区二的一端连接，温区二的另一端与结构阀二的一端连接，结构阀二的另一端与温区一的一端连接，温区一的另一端与结构阀一的一端连接，结构阀一的另一端与第二射频腔体的一端连接；

所述结构阀三、温区一、结构阀二、温区二、结构阀一的内部均具有相同直径的圆柱状空腔，圆柱状空腔内贯穿设有石英管；

所述收卷机构包括收卷舱、收卷轴，收卷轴位于收卷舱的中心轴向上；收卷舱通过第二法兰与第二射频腔体的另一端连接；

所述第一射频腔体内设有第一发射电极、第一靶材、第一接地电极，第一靶材对称设于第一发射电极的底部与第一接地电极的顶部；

所述第二射频腔体内设有第二发射电极、第二靶材、第二接地电极，第二靶材对称设于第二发射电极的底部与第二接地电极的顶部。

作为本实用新型进一步的方案，所述放卷舱内设有用于驱动放卷轴旋转的旋转电机；所述收卷舱内设有用于驱动收卷轴旋转的旋转电机。

作为本实用新型进一步的方案，所述温区一、温区二内均设有加热炉。