[实用新型]一种卧式多层磁控镀膜复合CVD设备

权利要求书

1.一种卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，包括设备框架(34)，其特征在于，所述设备框架(34)的顶部设有放卷机构、结构阀三(22)、结构阀二(17)、结构阀一(13)、收卷机构、第一射频腔体(27)、第二射频腔体(5)、温区一(15)、温区二(19)；

所述放卷机构包括放卷舱(30)、放卷轴(29)，放卷轴(29)位于放卷舱(30)的中心轴向上，放卷舱(30)的一端通过第一法兰(35)与第一射频腔体(27)的一端连接；

所述第一射频腔体(27)的另一端与结构阀三(22)的一端连接，结构阀三(22)的另一端与温区二(19)的一端连接，温区二(19)的另一端与结构阀二(17)的一端连接，结构阀二(17)的另一端与温区一(15)的一端连接，温区一(15)的另一端与结构阀一(13)的一端连接，结构阀一(13)的另一端与第二射频腔体(5)的一端连接；

所述结构阀三(22)、温区一(15)、结构阀二(17)、温区二(19)、结构阀一(13)的内部均具有相同直径的圆柱状空腔，圆柱状空腔内贯穿设有石英管(20)；

所述收卷机构包括收卷舱(2)、收卷轴(3)，收卷轴(3)位于收卷舱(2)的中心轴向上；收卷舱(2)通过第二法兰(6)与第二射频腔体(5)的另一端连接；

所述第一射频腔体(27)内设有第一发射电极(24)、第一靶材(25)、第一接地电极(26)，第一靶材(25)对称设于第一发射电极(24)的底部与第一接地电极(26)的顶部；

所述第二射频腔体(5)内设有第二发射电极(9)、第二靶材(10)、第二接地电极(11)，第二靶材(10)对称设于第二发射电极(9)的底部与第二接地电极(11)的顶部。

2.根据权利要求1所述的卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，其特征在于，所述放卷舱(30)内设有用于驱动放卷轴(29)旋转的旋转电机；所述收卷舱(2)内设有用于驱动收卷轴(3)旋转的旋转电机。

3.根据权利要求1所述的卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，其特征在于，所述温区一(15)、温区二(19)内均设有加热炉。

4.根据权利要求1所述的卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，其特征在于，所述第一发射电极(24)位于第一射频腔体(27)的内腔顶部且其呈纵截面呈倒T字形，第一接地电极(26)位于第一射频腔体(27)的内腔底部且其纵截面呈T字形，第一射频腔体(27)的顶壁连接有第一复合真空计(36)。

5.根据权利要求1所述的卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，其特征在于，所述第二发射电极(9)位于第二射频腔体(5)的内腔顶部且其呈纵截面呈倒T字形，第二接地电极(11)位于第二射频腔体(5)的内腔底部且其纵截面呈T字形，第二射频腔体(5)的顶壁连接有第二复合真空计(8)。

6.根据权利要求1所述的卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，其特征在于，所述第一法兰(35)的底部设有抽气口四(28)；所述第二法兰(6)的顶部设有进气口一(7)。

7.根据权利要求1所述的卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，其特征在于，所述结构阀一(13)的顶部和底部分别设有进气口二(14)、抽气口一(12)；所述结构阀二(17)的顶部和底部分别设有进气口三(18)、抽气口二(16)；所述结构阀三(22)的顶部和底部分别设有进气口四(23)、抽气口三(21)。

8.根据权利要求1所述的卧式多层磁控镀膜复合CVD设备，其特征在于，所述设备框架(34)的内部设有机械泵(1)，设备框架(34)的外壁上设有射频控制仪(31)、流量控制仪(32)。