[实用新型]覆铜陶瓷基片减薄装置

说明书

本实用新型涉及到一种覆铜陶瓷基片减薄装置，包括机架和工作平面，工作平面上设有轨道，轨道上设有第一滑块，第一滑块上安装有覆铜陶瓷基片承台，轨道一端设有立架，立架上设有立轨，立轨上滑动连接有第二滑块，第二滑块与一个刀架固接，刀架内转动连接有刀轴，刀架上端连接有驱动电机，下端连接有刀座，刀座内连接有刀具，两立轨之间的立架上设置有两个轴座和一根丝杆，丝杆上端与固定连接在立架上的升降电机传动连接，刀架上连接有与丝杆螺纹连接的螺母，刀架两侧分别通过液压推杆与工作平面连接，液压推杆通过比例阀连通到液压站，机架上设置有驱动第一滑块的进给直线驱动装置。本实用新型能够精确控制刀架进给量，提高覆铜陶瓷基片减薄精度。

技术领域：

本实用新型属于覆铜陶瓷基片加工技术领域，具体涉及一种覆铜陶瓷基片减薄装置。

背景技术：

在集成电路制造过程中，需要在覆铜陶瓷基片上进行数百道工艺，因此，必须采用具有一定厚度的覆铜陶瓷基片。而在完成集成电路制作之后，需要对集成电路进行封装。在集成电路封装前，需要对覆铜陶瓷基片的进行减薄，一方面改善芯片的散热效果，另一方面有利于减小封装尺寸，目前对覆铜陶瓷基片进行减薄通常采用研磨的方式进行，这种方式虽然精度高但是效率太低，企业生产效率难以大幅提升。

实用新型内容：

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种覆铜陶瓷基片减薄装置，该覆铜陶瓷基片减薄装置能够利用刀具对覆铜陶瓷基片表面进行高精度铣削，以提高覆铜陶瓷基片减薄的生产效率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：覆铜陶瓷基片减薄装置，包括机架，其特征在于，所述机架上设置有一个工作平面，工作平面上平行设置有两条轨道，两轨道上滑动设置有第一滑块，第一滑块上可拆卸地安装有覆铜陶瓷基片承台，位于轨道一端或两轨道同一侧的机架上设置有一个立架，立架上竖向设置有两条横向平行排列的立轨，两条立轨上分别滑动连接有两个第二滑块，两立轨上的共四个第二滑块共同与一个正对着两立轨设置的刀架固定连接，刀架内转动连接有竖向设置的刀轴，刀架上端固定连接有驱动刀轴转动的驱动电机，下端连接有刀座，刀座内可拆卸地连接有刀具，位于两立轨之间的立架上竖向排列设置有两个轴座和一根丝杆，丝杆与刀架正对，丝杆的两端分别转动连接在一个轴座上，丝杆上端向上伸出上方的轴座并与固定连接在立架上的升降电机传动连接，所述刀架朝向丝杆的一侧固定连接有一个与丝杆螺纹连接的螺母，所述刀架两侧分别通过一个液压推杆与工作平面连接，液压推杆平行于立轨，任一液压推杆通过比例阀连通到液压站，所述刀具位于两轨道之间，与覆铜陶瓷基片承台的运动路径相对，所述机架上设置有驱动第一滑块沿轨道来回移动的进给直线驱动装置，所述覆铜陶瓷基片减薄装置还包括一套用于检测刀架位移数据的位移检测机构。

作为一种优选方案，所述刀架背对丝杆的一侧连接有一个向下延伸的弧形限位板，限位板的内弧面与刀具相对，限位板外弧面上垂直连接有加强筋，加强筋的上端与刀架固定连接，下端连接有一块平行于工作平面的安装板，安装板上竖向固定连接有距离探测器，所述限位板的下端低于加强筋下端且低于距离探测器。

作为一种优选方案，所述位移检测机构包括设置在两立轨一侧立架上的光栅尺、设置在螺母上或者刀架上或者与光栅尺接近的任一第二滑块上的读数头，读数头与光栅尺配合工作，利用读数头读取刀架的位移数据。

作为一种优选方案，所述覆铜陶瓷基片承台包括与第一滑块可拆卸地连接的底板，底板朝向刀具的面上设置有一个负压槽，负压槽内底面上均布有大量顶柱，顶柱的顶面齐平且所有顶柱的顶面处于同一平面，进而组成支撑面，负压槽内底面上开设有多个向下贯穿底板的负压孔，所述第一滑块上设置有一个与所有负压孔连通的集气槽，集气槽底面或侧壁上开设有吸气孔，集气槽通过吸气孔以及连接在吸气孔上的柔性吸气管与负压泵连通。

作为一种优选方案，所述负压槽的中心区设置有一个内环，内环的上端面与顶柱的顶面齐平，内环将部分顶柱和部分负压孔围绕其中。