[实用新型]IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路

说明书

本实用新型公开了一种IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路，涉及IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护技术领域。本实用新型包括电阻R4和电阻R5构成驱动电压V_HSDRV的分压电路，电阻R6、R7、R8和稳压芯片U1构成驱动电压V_HSDRV检测的比较基准电阻，上述元器件和一比较器芯片U2构成驱动电压V_HSDRV检测电路；还包括电阻R3、R10、R11构成退饱和保护电路；既能为IGBT退饱和提供保护，又能解决由于驱动电压过低提供保护，还适应当前种类繁多的IGBT参数要求。

技术领域

本实用新型涉及IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护技术领域，具体是一种IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路。

背景技术

目前新能源汽车产业在全球范围内发展迅猛，电动汽车作为未来汽车发展的新趋势，一方面可以减少传统燃油汽车的排出物对环境的污染，另一方面能够减轻石油、天然气等不可再生能源的使用压力。电机驱动系统是新能源电动车的核心系统，其中的功率模块更是其中的关键部件，目前国内生产的功率模块，因为技术、工艺等原因，还不能够在新能源汽车中广泛使用，国外知名的几家知名功率器件生产商基本处于垄断地位，导致这些功率器件一方面价格比较昂贵，另一方面交期比较长。因此在功率模块的使用过程中，对设计者提出更高的要求。现下通常采用集成IC来驱动功率模块，这些IC集成了通用的保护功能，但这些IC大都来自国外技术，价格和供货周期也受限，并且功能集成在片内，使用技术也受限制。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本实用新型提供一种IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路，既能为IGBT退饱和提供保护，又能解决由于驱动电压过低提供保护，还适应当前种类繁多的IGBT参数要求。

本实用新型是以如下技术方案实现的：一种IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路，包括电阻R4和电阻R5构成驱动电压V_HSDRV的分压电路，电阻R6、R7、R8和稳压芯片U1构成驱动电压V_HSDRV检测的比较基准电阻，上述元器件和一比较器芯片U2构成驱动电压V_HSDRV检测电路；还包括电阻R3、R10、R11构成退饱和保护电路；其中电阻R4、R6的一端连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV+端，电阻R4的另一端通过电阻R5连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端和VCC电源地相连接，电阻R6的另一端连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端通过电阻R8连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，电阻R4和电阻R5的公共端连接一二极管D11的负极和比较器芯片U2的1脚，电阻R6和电阻R7的公共端连接比较器芯片U2的2脚和稳压芯片U1的1脚，电阻R7和电阻R8的公共端连接稳压芯片U1的2脚，稳压芯片U1的3脚接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，二极管D11的正极连接一二极管D12的负极、二极管D13的正极、比较器芯片U3的2脚，二极管D12的正极连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，二极管D13的负极连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV+端，二极管D13的正负极间并联一电阻R9，比较器芯片U2的2脚依次通过电阻R10、R11连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，比较器芯片U3的2脚通过电阻R3连接IGBT功率模块驱动电路的Vce_HSdesat端，比较器芯片U3的1脚连接电阻R10和电阻R11的公共端，比较器芯片U2的5脚作为Fault端连接电阻R12的一端以及比较器芯片U3的5脚，电阻R12的另一端连接电源VCC，比较器芯片U2的3脚与比较器芯片U3的3脚连接电源VCC，比较器芯片U2的4脚与比较器芯片U3的4脚接VCC电源地。

进一步,所述的稳压芯片U1采用TL431电源芯片。

进一步,所述的比较器芯片U2和比较器芯片U3采用LM2903。