[实用新型]IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路

权利要求书

1.一种IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路，其特征在于：包括电阻R4和电阻R5构成驱动电压V_HSDRV的分压电路，电阻R6、R7、R8和稳压芯片U1构成驱动电压V_HSDRV检测的比较基准电阻，上述元器件和一比较器芯片U2构成驱动电压V_HSDRV检测电路；还包括电阻R3、R10、R11构成退饱和保护电路；其中电阻R4、R6的一端连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV+端，电阻R4的另一端通过电阻R5连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端和VCC电源地相连接，电阻R6的另一端连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端通过电阻R8连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，电阻R4和电阻R5的公共端连接一二极管D11的负极和比较器芯片U2的1脚，电阻R6和电阻R7的公共端连接比较器芯片U2的2脚和稳压芯片U1的1脚，电阻R7和电阻R8的公共端连接稳压芯片U1的2脚，稳压芯片U1的3脚接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，二极管D11的正极连接一二极管D12的负极、二极管D13的正极、比较器芯片U3的2脚，二极管D12的正极连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，二极管D13的负极连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV+端，二极管D13的正负极间并联一电阻R9，比较器芯片U2的2脚依次通过电阻R10、R11连接IGBT功率模块驱动电路的V_HSDRV-端，比较器芯片U3的2脚通过电阻R3连接IGBT功率模块驱动电路的Vce_HSdesat端，比较器芯片U3的1脚连接电阻R10和电阻R11的公共端，比较器芯片U2的5脚作为Fault端连接电阻R12的一端以及比较器芯片U3的5脚，电阻R12的另一端连接电源VCC，比较器芯片U2的3脚与比较器芯片U3的3脚连接电源VCC，比较器芯片U2的4脚与比较器芯片U3的4脚接VCC电源地。

2.根据权利要求1所述的IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路，其特征在于：所述的稳压芯片U1采用TL431电源芯片。

3.根据权利要求1所述的IGBT退饱和保护和驱动电源欠压保护电路，其特征在于：所述的比较器芯片U2和比较器芯片U3采用LM2903。