[实用新型]一种吸盘

说明书

一种吸盘，包括吸盘主体，吸盘主体包括安装部位和吸附部位，安装部位用于吸盘主体的安装，吸附部位用于吸附片状原料；安装部位上设有卡槽和/或安装孔，吸附部位上设有气槽和气孔，气槽和气孔连通；本实用新型的有益效果是：本实用新型采用耐高温材料制作吸盘，适用于高温条件；新颖的吸盘结构设计配合多气槽的同心分布，可以增大吸盘与片状材料之间的吸力，使送料时片状材料很难脱落；插片部位的设置让吸盘很容易的插入到摆放在一起的片状元件之间，大大方便了送料操作。

技术领域

本实用新型涉及送/取料技术领域，尤其涉及用于一种半导体材料或光伏材料加工的吸盘。

背景技术

半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业，半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上，CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式，其中CVD即化学气相沉积，CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工，常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等，除了CVD之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等，它们中有许多加工工艺需要在高温条件下进行，比如材料的镀膜、扩散、氧化、LPCVD等管式炉上下料，例如超薄硅片，它需要在低压高温氛围下实现化学反应和沉积成膜，而现实生活中应用较多的：普通片状材料的送/取料，它采用的是吸盘式送/取料机构，很显然，这种机构无法应用在这样的高温环境下，因为吸盘的材料大多是硅胶、聚氨酯，他们在高温下会熔化，无法完成进出料操作，因此急需一种适用于高温条件下的片状材料送/取料装置。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种吸盘，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的一种吸盘，包括吸盘主体，吸盘主体包括安装部位和吸附部位，安装部位用于吸盘主体的安装，吸附部位用于吸附片状原料(片状原料包括半导体片，如片状硅片)。

作为优选，安装部位上设有卡槽和/或安装孔，吸附部位上设有气槽和气孔，气槽和气孔连通，在一些优选的方式中，气槽设置在吸附部位的表面，不穿透吸附部位，在一些优选的方式中，气孔位于气槽的底部，在一些优选的方式中，气孔位于气槽的侧壁。

作为优选，安装部位的厚度比吸附部位的厚度大，安装部位与吸附部位连接在一起，呈阶梯状设置，它们之间的厚度差能够用于容纳片状原料。

作为优选，吸盘主体内设有至少一个抽气通道，抽气通道至少连通一个气孔，在一些优选的方式中，抽气通道通过气孔连通气槽，当吸附部位表面被原料覆盖时，通过给抽气通道抽气使气槽内压力降低，可以将原料吸附在吸附部位的表面。

作为优选，当气槽数量大于等于两个时，气槽呈同心分布，在一些优选的方式中，气槽可以是环状，成扩散状分布在吸附部位表面，在一些优选的方式中，气槽可以是螺旋状，在一些优选的方式中，气槽的形状可以采用方形，在一些优选的方式中，气槽至少有一个，在一些优选的方式中，气槽可以有多个，当所述气槽为多个时，气槽以尽量均匀分布在吸附部位表面的方式来布置，从而使吸盘主体对片状原料的吸附力尽可能均匀。

作为优选，吸附部位外端设有插片部位，在一些优选的方式中，插片部位的厚度较吸附部位要小，形成一个易于插入片状原料之间的导向结构。

作为优选，吸盘主体采用耐高温材料制成，耐高温材料包括但不限于下列材料：陶瓷、碳化硅、氧化铝、氧化锆及一些耐高温非金属氧化物。

作为优选，该吸盘为对称体，卡槽和安装孔成对的对称设于安装部位，插片部位设有对称的双斜面，且插片部位呈尖状，尖状锋锐处进行磨平，尖状角部对称设有倒角。

作为优选，吸附部位上设有3个环形气槽，它们呈同心分布，且槽深相同，每个气槽的底部皆设有一个气孔，三个气孔呈直线排布在该吸盘的对称面上，且皆位于环形气槽靠近安装部位的一侧上，吸盘主体内还设有一个抽气通道，抽气通道的截面呈扁长方形状，且该抽气通道穿过安装部位连通吸附部位内的所有气孔。