[实用新型]冲洗臂结构及使用该冲洗臂结构的晶片清洗系统

说明书

本实用新型公开了一种冲洗臂结构及使用该冲洗臂结构的晶片清洗系统。该系统包括：旋转底座；一个或多个扫描喷嘴，所述扫描喷嘴设置在旋转底座上方；冲洗臂，所述冲洗臂设置在扫描喷嘴上方，包括呈八字形分布两个中空柱体，所述中空柱体的一侧开有多个出水孔，所述中空柱体的另一侧具有入水口，所述中空柱体固定在支架上，所述中空柱体设置在旋转底座上方，且能够旋转，以便调整喷水的角度，并且通过设置入水的流量使冲洗臂的喷射范围保持在旋转底座的正上方。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，更具体而言，本实用新型涉及一种冲洗臂结构及使用该冲洗臂结构的晶片清洗系统。

背景技术

半导体集成电路制造工艺主要以20世纪50年代以后实用新型的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在半导体制造过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶片表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶片上的微尘、金属离子及有机物等杂质。

在晶片清洗系统中，主处理腔室MPC(Main Process Chamber)的扫描喷嘴(scannozzle)在工艺处理后会由腔室上方的冲洗臂(rinse arm)喷去离子水进行冲洗，冲洗臂在清洗扫描喷嘴的过程中，清洗范围有限，无法清洗整支喷嘴，未清洗的部位会有结晶，产生颗粒，对晶片造成缺陷，严重影响生产效率；此外，冲洗臂动作时，喷溅的去离子水会影响腔室环境，严重者会沿着内壁进入腔室下方造成驱动装置损坏，对机台造成无法估量的损失，严重影响机台使用寿命。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述问题，根据本实用新型的一个方面，提供一种冲洗臂结构，包括：

呈八字形分布两个中空柱体，所述中空柱体的一侧开有多个出水孔，所述中空柱体的另一侧具有入水口，

所述中空柱体固定在支架上，所述中空柱体设置在旋转底座上方，且能够旋转，以便调整喷水的角度，并且通过设置入水的流量使冲洗臂的喷射范围保持在旋转底座的正上方。

在本实用新型的一个实施例中，所述中空柱体为圆柱体或棱柱体。

在本实用新型的一个实施例中，所述冲洗臂通过卡环和螺丝固定在支架上方。

根据本实用新型的另一个方面，提供一种使用冲洗臂结构的晶片清洗系统，包括：

旋转底座；

一个或多个扫描喷嘴，所述扫描喷嘴设置在旋转底座上方；

冲洗臂，所述冲洗臂设置在扫描喷嘴上方，所述冲洗臂包括呈八字形分布两个中空柱体，所述中空柱体的一侧开有多个出水孔，所述中空柱体的另一侧具有入水口，所述中空柱体固定在支架上，所述中空柱体设置在旋转底座上方，且能够旋转，以便调整喷水的角度，并且通过设置入水的流量使冲洗臂的喷射范围保持在旋转底座的正上方。

在本实用新型的另一个实施例中，所述中空柱体为圆柱体或棱柱体。

在本实用新型的另一个实施例中，所述冲洗臂通过卡环和螺丝固定在支架上方。

通过使用本实用新型的冲洗臂，能够有效防止扫描喷嘴因清洗不完全出现结晶而产生颗粒，从而导致晶片缺陷，提高生产效率；有效避免去离子水进入腔室下方损坏电气设备，提高机台使用寿命。

附图说明