[实用新型]一种石墨烯异质结基底转移装置

说明书

本实用新型属于石墨烯晶体管制造领域，具体公开了一种石墨烯异质结基底转移装置，包括一个密闭的转移室，所述转移室包括刻蚀室和储藏室；所述刻蚀室与所述储藏室水平相邻设置；所述刻蚀室与所述储藏室相邻壁上开设有连通所述刻蚀室和所述储藏室的第一通孔；所述刻蚀室盛放用于刻蚀所述第一基底的第一溶液和/或用于稀释所述第一溶液的第二溶液；所述储藏室存放第二基底，所述第二基底从所述储藏室通过所述第一通孔进入所述刻蚀室，用于在所述第一基底被刻蚀后与所述石墨烯异质结贴合。本实用新型能够克服现有技术中石墨烯异质结原基底的剥离以及与所需基底贴合需要转换操作环境引起的工艺流程复杂、石墨烯异质结易变形的缺点。

技术领域

本实用新型涉及半导体晶体管的制备领域，尤其涉及一种石墨烯异质结基底转移装置。

背景技术

自从石墨烯材料发现之后，由于其超高的电学性质受到了各方的广泛关注。目前很多科研工作者已经研究出制成石墨烯晶体管的方法，石墨烯晶体管的制备过程一般包括：异质结生成、基底转移、曝光、显影、刻蚀等步骤。其中石墨烯异质结生成是在CVD生长室用化学气相沉积方法，在金属基底上生成氮化硼-石墨烯-氮化硼这种三明治型异质结结构，但是目前的方法中在CVD室用于生长多层石墨烯异质结的金属基底材料，主要是起到化学气相沉积的催化剂作用的，并不是制备石墨烯异晶体管所需的基底材料，因此在金属基底上制成多层石墨烯异质结之后，需要将石墨烯异质结从原金属基底材料上剥离，并移植到制备石墨烯晶体管的所需基底上，然后再进行曝光、显影、刻蚀等操作，最终得到成品的石墨烯晶体管。

目前常用的石墨烯异质结基底转移过程中，石墨烯异质结与金属基底的剥离过程和石墨烯异质结移植到所需基底的转移过程不是在同一个环境中进行的。通常是先在一个装置中采取高频超声波震动或者溶液腐蚀的方法，将石墨烯异质结剥离原金属基底，然后将石墨烯异质结从装置中取出，再放置到另外一个装置中，与制成晶体管所需的基底进行贴合。所以这种基底转移方式需要转换操作环境，工艺流程复杂，操作难度大，而且在转换操作环境过程中多层石墨烯异质结容易变形和被污染。

实用新型内容

本实用新型提供的一种石墨烯异质结基底转移装置，能够将石墨烯异质结从金属基底剥离并转移到晶体管制备所需基底上这两个步骤在一个密闭空间内实施，简化了制造流程，降低了生产难度，同时可以防止石墨烯异质结在转换操作环境中变形，并且配有一个机械泵组，保证操作空间维持在低压真空环境，有效的降低了石墨烯异质结被污染的风险。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种石墨烯异质结基底转移装置，所述石墨烯异质结是在CVD生长室通过化学气相沉积方法在第一基底上生成的多层异质结；

所述石墨烯异质结基底转移装置，包括一个密闭的转移室，其特征在于，所述转移室包括刻蚀室和储藏室；所述刻蚀室与所述储藏室水平相邻设置；所述刻蚀室与所述储藏室相邻壁上开设有连通所述刻蚀室和所述储藏室的第一通孔；

所述刻蚀室盛放用于刻蚀所述第一基底的第一溶液和/或用于稀释第一溶液的第二溶液；

所述储藏室存放用于制备石墨烯晶体管的第二基底，所述第二基底从所述储藏室通过所述第一通孔进入所述刻蚀室，用于在所述第一基底被刻蚀后与所述石墨烯异质结贴合。

如上述石墨烯异质结基底转移装置，其中，优选的是，所述第一基底与所述刻蚀室、所述第二基底与所述储藏室在水平方向间隙配合。

如上述石墨烯异质结基底转移装置，其中，优选的是，所述刻蚀室一侧壁上开设有第二通孔，所述第二通孔用于所述石墨烯异质结与所述第一基底的结合体进入所述刻蚀室。

如上述石墨烯异质结基底转移装置，其中，优选的是，所述刻蚀室靠近所述第二通孔下方相对侧壁水平插设有第一推杆，且沿所述第二通孔水平轴向延伸；