[实用新型]一种石墨烯异质结基底转移装置有效
申请号: | 201921114201.9 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN210110726U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 孔伟成;赵勇杰 | 申请(专利权)人: | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/225;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/44 |
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地址: | 230008 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 烯异质结 基底 转移 装置 | ||
1.一种石墨烯异质结基底转移装置,所述石墨烯异质结是在CVD生长室通过化学气相沉积方法在第一基底上生成的多层异质结;
所述石墨烯异质结基底转移装置,包括一个密闭的转移室,其特征在于,所述转移室包括刻蚀室和储藏室;所述刻蚀室与所述储藏室水平相邻设置;所述刻蚀室与所述储藏室相邻壁上开设有连通所述刻蚀室和所述储藏室的第一通孔;
所述刻蚀室盛放用于刻蚀所述第一基底的第一溶液和/或用于稀释所述第一溶液的第二溶液;
所述储藏室存放第二基底,所述第二基底从所述储藏室通过所述第一通孔进入所述刻蚀室,用于在所述第一基底被刻蚀后与所述石墨烯异质结贴合。
2.根据权利要求1所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述第一基底与所述刻蚀室、所述第二基底与所述储藏室在水平方向间隙配合。
3.根据权利要求1所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述刻蚀室一侧壁上开设有第二通孔;
所述第二通孔用于所述石墨烯异质结与所述第一基底的第一结合体进入所述刻蚀室。
4.根据权利要求3所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述刻蚀室靠近所述第二通孔下方相对侧壁水平插设有第一推杆,且沿所述第二通孔水平轴向延伸;
其中,所述第一推杆在所述异质结与所述第一基底的第一结合体进入所述刻蚀室时推入所述刻蚀室内,用于支撑所述石墨烯异质结与所述第一基底的第一结合体;
所述第一推杆在所述第一溶液刻蚀完所述第一基底时拉出所述刻蚀室,所述石墨烯异质结随着所述第一溶液排出时的液面下降与所述第二基底贴合。
5.根据权利要求3所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述刻蚀室上与所述第一通孔所在侧面相对的另一侧壁上开设有第三通孔;
所述第三通孔用于所述石墨烯异质结与所述第二基底的第二结合体转出所述刻蚀室。
6.根据权利要求5所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔共3个通孔处均设置有用于堵塞对应通孔的堵塞装置;
各所述堵塞装置均活动配合对应所述通孔,使得对应所述通孔可被打开或堵塞。
7.根据权利要求1所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述刻蚀室底部设置有依次排列的可以用于注入或排出液体的多个接口,各所述接口上均设置有控制所述接口打开或关闭的控制阀。
8.根据权利要求7所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,多个所述接口依次为第一接口、第二接口和第三接口;
其中,所述第一接口用于向所述刻蚀室注入第一溶液;
所述第二接口用于排出所述刻蚀室的第一溶液和/或第二溶液;
所述第三接口用于向所述刻蚀室注入第二溶液。
9.根据权利要求1所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述转移室内底部设置有依次排列的支撑部,所述支撑部用于支撑所述第二基底。
10.根据权利要求1所述的石墨烯异质结基底转移装置,其特征在于,所述转移装置还包括第二推杆;
所述第二推杆水平插设在所述储藏室的侧壁上,并沿所述第一通孔的水平轴向延伸,且所述推杆可推动所述第二基底从所述储藏室通过所述第一通孔进入所述刻蚀室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造