[实用新型]氮化物的制造设备有效
申请号: | 201921111286.5 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN210368000U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 乔焜;高明哲;林岳明 | 申请(专利权)人: | 上海玺唐半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B7/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 201613 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 制造 设备 | ||
本实用新型提供一种氮化物的制造设备,其包括反应容器(1)、第一管路(21)、第二管路(22)和真空泵(3),所述反应容器(1)的外周设有第一加热器(51),所述第一管路(21)连接到反应容器(1),所述第一管路(21)用于向所述反应容器(1)注入反应溶剂,所述第二管路(22)将所述真空泵(3)连接到所述第一管路(21),所述第一管路(21)和/或所述第二管路(22)的外周设有第二加热器(52)。根据本实用新型的氮化物的制造设备,能有效去除设备内的氧和水,提高氮化物的纯度。
技术领域
本实用新型涉及氮化物的制造,尤其涉及氮化物的制造设备。
背景技术
在氮化物的制造中,氨热法被广泛应用。氨热法使用处于超临界状态和/或亚临界状态的氨作为溶剂,利用原材料的溶解-析出反应制造所需材料。在将氨热法用于晶体生长时,利用原料在氨中的溶解度的温度依赖性,通过温度差使晶体析出。
氨热法能够适用于氮化镓(GaN)等氮化物晶体的生长。在例如氨热法制备氮化镓晶体的制造过程中,反应容器内氧和水等含氧化合物的含量将影响晶体的质量。通常地,反应容器内的氧和水的含量越少,反应获得的氮化镓晶体中的杂质含量越少;而若反应容器内氧和水的含量高,则获得的氮化镓晶体中所含的氧浓度就较高,这是不希望的。
因此,使氮化物的制造设备内部接近无氧的状态,是结晶过程所期望的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服或至少减轻上述现有技术存在的不足,提供一种能避免或减少设备内部氧和水的含量的氮化物的制造设备。
本实用新型提供一种氮化物的制造设备,其包括反应容器、第一管路、第二管路和真空泵,
所述反应容器的外周设有第一加热器,
所述第一管路连接到反应容器,所述第一管路用于向所述反应容器注入反应溶剂,
所述第二管路将所述真空泵连接到所述第一管路,
所述第一管路和/或所述第二管路的外周设有第二加热器。
在至少一个实施方式中,所述第二加热器螺旋缠绕地包围在所述第一管路和所述第二管路的外周。
在至少一个实施方式中,所述第二加热器的加热温度至少能够达到110℃。
在至少一个实施方式中,所述制造设备还包括第三管路和脱氧剂,
所述脱氧剂设置在所述第三管路的路径中,
所述第三管路的两端分别连接到所述第一管路,
所述第三管路比所述第二管路更靠近所述反应容器。
在至少一个实施方式中,所述脱氧剂容纳于脱氧剂存放容器中,所述第三管路具有连接到所述脱氧剂存放容器的接口。
在至少一个实施方式中,所述第三管路和所述脱氧剂存放容器通过螺纹连接。
在至少一个实施方式中,所述脱氧剂的组成原料包括In、Zn、Ga、B、Si、Ti、Al、Mg、Ca中的任一者或多者。
在至少一个实施方式中,所述第三管路的外周也设有所述第二加热器。
在至少一个实施方式中,在位于所述第三管路上游的所述第一管路的路径中设有第一阀,
在所述第二管路的路径中设有第二阀,
在所述第一管路的与所述第三管路相连的两个节点之间的路径中设置第三阀,
在位于所述脱氧剂的上游和下游的所述第三管路的路径中分别设有第四阀和第五阀,
在所述第一管路的与所述第二管路的连接节点下游的路径中设有第六阀。
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