[实用新型]防接地装置及多晶硅还原炉

说明书

本实用新型公开了一种防接地装置及多晶硅还原炉，涉及多晶硅生产技术领域，解决现有技术中还原炉底盘和电极之间因绝缘性下降，造成的还原炉接地问题。本实用新型的主要技术方案为：一种防接地装置，该装置包括：电极部和防护部；电极部包括绝缘环和电极，电极包括上下排列的第一部分和第二部分，第二部分嵌套于底盘的安装孔内，第一部分伸出底盘的安装孔，绝缘环设置于电极和底盘之间，用于隔绝电极和底盘；防护部覆盖于第一部分，防护部的一端连接于底盘，另一端开有第一通孔，用于使电极接触硅芯棒。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种防接地装置及多晶硅还原炉。

背景技术

随着社会的快速发展，光伏领域得到越来越多的人的重视，而单晶硅成为太阳能电池板的主要材料。制作硅的过程中，还原炉内从三氯氢硅汽化器来的三氯氢硅与氢气的混合气体，送入还原炉内。在还原炉内通电的炽热硅芯/硅棒的表面，三氯氢硅发生氢化还原反应，生成硅沉积下来，使硅芯/硅棒的直径逐渐变大，直至达到规定的尺寸。

还原炉内氢气和三氯氢硅气体发生化学气相反应沉淀时，受温度和物料配比影响，还原炉内部会产生硅粉，硅粉落至还原炉底盘上，如果较多，覆盖在绝缘环上，硅粉在高温下会导电，会造成短路现象，电气系统电流超限，触发接地保护，还原炉停止运行。由于还原炉内的硅棒未达到最佳生长时间，造成很大的减产损失。

现有生产技术是通过控制还原炉的反应温度和还原炉内物料的配比，减少硅粉的产生，来防止还原炉底盘因硅粉堆积引发的接地问题。但是，由于还原炉内硅棒的生长周期较长(90-100小时)，在生长期间，随着电流不断增加，还原炉内温度和物料生长情况在不断变化，很容易产生硅粉。硅粉产生后，在还原炉底盘沉积一定厚度，覆盖绝缘环后，不利于清理，还是会造成还原炉底盘和电极间短路，还原炉运行电流大幅上升，触发电气系统接地保护，造成还原炉停止运行。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种用于还原炉底盘的防接地装置，用于解决现有技术中还原炉底盘和电极之间因绝缘性下降，造成的还原炉接地问题。

为达到上述目的，本实用新型主要提供如下技术方案：

一方面，本实用新型提供一种防接地装置，该装置包括：电极部和防护部；

所述电极部包括绝缘环和电极，所述电极包括上下排列的第一部分和第二部分，所述第二部分嵌套于底盘的安装孔内，所述第一部分伸出底盘的安装孔，所述绝缘环设置于所述电极和底盘之间，用于隔绝所述电极和底盘；

所述防护部覆盖于所述第一部分，所述防护部的一端连接于底盘，另一端开有第一通孔，用于使所述电极接触硅芯棒。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

可选的，所述防护部呈中空状，所述防护部的一端开有第二通孔，所述第一部分位于所述第一通孔和所述第二通孔之间。

可选的，自所述第一通孔到所述第二通孔，所述防护部的侧面逐渐远离所述电极。

可选的，所述电极部还包括石墨管，所述石墨管的一端连接于所述第一部分，另一端穿过所述第一通孔，用于承载硅芯棒，所述防护部的另一端侧贴合于所述石墨管。

可选的，所述第一部分远离底盘的端侧设有凸缘，所述绝缘环顶接于所述凸缘。

可选的，所述防护部呈圆台形。

可选的，所述防护部贴附于所述第一部分的周侧。

可选的，所述防护部的材质为氮化硅陶瓷。

另一方面，本实用新型还提供一种多晶硅还原炉，该多晶硅还原炉包括：炉体、多个安装孔和多个前述任一防接地装置，多个所述安装孔均布于所述炉体的底盘，每一个所述防接地装置安装于其中一个所述安装孔处。